[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1、一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的基板，使用等离子体进行氮化处理、氧化处理，其特征在于：

在等离子体产生部和所述基板之间配置具有开口部的隔板，

所述开口部以使所述基板表面的气体流速为1e-2(m·sec^-1)～1e+1(m·sec^-1)的方式形成。

2、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述隔板的各开口部的直径完全相同。

3、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述隔板的中央部的开口部的直径比位于该中央部的外侧的开口部的直径小。

4、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述隔板的中央部的开口部的直径比位于该中央部的外侧的开口部的直径大。

5、根据权利要求1～4之一所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述隔板具有在对应于所述基板的形状的区域内配置的多个开口部；

各开口部的开口面积是13mm²～450mm²。

6、根据权利要求1～4之一所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述隔板的厚度是3mm～7mm。

7、一种等离子体处理方法，对配置在处理容器内的硅基板，隔着隔板使用等离子体进行氮化处理或者氧化处理，其特征在于：

将所述基板表面的所述等离子体的电子密度控制为1e+7(个·cm^-3)～1e+9(个·cm^-3)。

8、一种等离子体处理方法，对配置在处理容器内的基板，隔着隔板使用等离子体进行氮化处理或者氧化处理，其特征在于：

将所述基板表面的气体流速控制为1e-2(m·sec^-1)～1e+1(m·sec^-1)。

9、一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的基板，使用等离子体进行氮化处理或者氧化处理，其特征在于：

在等离子体产生部和所述基板之间配置了具有开口部的隔板，

所述隔板由石英、氧化铝或者硅形成，

所述开口部以使所述基板表面的气体流速为1e-2(m·sec^-1)～1e+1(m·sec^-1)的方式形成。

10、一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的基板，使用等离子体进行氮化处理或者氧化处理，其特征在于，该装置包括：

在等离子体产生部和所述基板之间配置的、具有开口部的隔板；和

形成多个孔作为天线发挥作用的槽板，

所述等离子体通过微波的供给而生成，

所述开口部以使所述基板表面的气体流速为1e-2(m·sec^-1)～1e+1(m·sec^-1)的方式形成。