[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在处理容器内，对于例如FPD(平板显示器)基板等被处理体，在该被处理体周围设置有整流用结构体的状态下向上述处理容器内供给处理气体，通过该处理气体对上述被处理体进行规定的处理的技术。

背景技术

在LCD(液晶显示器)基板等被处理体的制造工序中，存在对于形成于被处理体上的铝(Al)膜实施蚀刻处理的工序。对于进行该工序的蚀刻处理装置的一个例子，根据图13进行简单的说明，图中1是真空腔室，在该真空腔室1的内部，设置有用于载置被处理体例如FPD基板S的载置台11，并以与该载置台11相对的方式设置有构成产生等离子体用的上部电极的处理气体供给部12。然后，从处理气体供给部12向真空腔室1内供给由氯(Cl₂)类气体构成的蚀刻气体，通过排气通路13利用未图示的真空泵对真空腔室1内抽真空，另一方面，从高频电源14对上述处理气体供给部12施加高频电力，由此，在基板S的上方的空间中形成蚀刻气体的等离子体，由此对基板S的蚀刻处理得以进行。

但是，在Al膜的蚀刻中，因为蚀刻气体的供给量与蚀刻量成比例，所以根据微负载效应，基板S的外围部的蚀刻速率极端地快，会发生蚀刻量变多的现象。即，在图14中符号15所示的基板S的最外围区域中，从作为蚀刻种的Cl自由基看，与符号16所示的同样面积的中央区域相比，蚀刻面积约为一半，因此当以与供向中央区域16的流量相同的流量供给蚀刻气体时，最外围区域15与中央区域16相比蚀刻量约为2倍。

因此，如图13和图15所示，历来以包围基板S周围的方式设置高50mm～150mm左右的整流部件17，通过使用上述整流部件17遮挡基板S的外围区域附近的蚀刻气体流，在基板S的周围形成气体滞留部，由此使得该区域的蚀刻气体流速降低，这样，能够提高基板面内的蚀刻速率的均匀性。

此时，在整流部件17的上端比从上述搬入搬出口11到上述载置台3的上方侧的基板S的搬送高度位置还要高的情况下，以能够自由升降的方式构成上述整流部件，如图15(b)所示，在将基板S搬入真空腔室1内时，在已使整流部件17上升的状态下搬入，在将该基板S载置于载置台11上之后，使整流部件17下降至包围基板S的位置，另一方面，在将基板S从真空腔室1搬出时，先使整流部件17上升，然后将基板S搬出。此处，上述整流部件17，例如隔着板状体17a设置在载置台11上，以从该板状体17a的侧面的例如4个位置伸出到载置台11外部的方式形成有突出部17b，在该突出部17b的下表面连接有升降用支撑棒18a，通过升降机构18使该升降用支撑棒18a升降，由此使得整流部件17能够升降。

但是，在Al膜的基于氯类气体的蚀刻处理中，会生成Al的氯化物，其会附着在整流部件17的内壁，当其累积量变多时，在使整流部件17升降时，该累积的Al的氯化物容易剥落，成为颗粒的发生原因。因此，存在为了除去颗粒而必须频繁地进行维护的问题。

该维护作业进行如下工序：使真空腔室1内的气氛恢复为大气状态，之后打开该腔室1并进行颗粒的除去作业，接着关闭腔室1进行抽真空。但是，近年来随着基板S的大型化，真空腔室1也在大型化，使真空腔室1内的气氛恢复至大气状态的工序和进行抽真空的工序需要相当长的时间。从而，维护作业整体的作业时间变得非常长，频繁进行该维护作业成为阻碍生产率提高的重要原因之一。

于是，本发明人对以下结构进行了研究：以包围基板的方式设置整流部件，并以不驱动该整流部件的方式将基板载置在载置台上，由此抑制颗粒的发生。另外，作为与整流部件相关的专利先行文献，在专利文献1中，记载有在下部电极上设置构成为能够通过移动机构突出的可动型的环作为整流部件的结构，在专利文献2中，记载有以包围基板的外围部的方式设置具备气体流通口的侧壁作为整流部件的结构，在专利文献3中，记载有通过沿基板的周边设置的多个侧壁部构成整流部件的例子，但在以上文献中，均没有记载不驱动整流部件就能够将基板载置在载置台上的结构，根据这些文献记载的技术，不能解决上述课题。

专利文献1：日本特开平7-74155号公报

专利文献2：日本特开2003-243364号公报

专利文献3：日本特开2005-259989号公报

发明内容

本发明是鉴于以上情况而完成的，其目的在于提供一种在向处理容器内流入处理气体并对被处理体进行处理时，能够提高处理的面内均匀性并抑制颗粒附着到被处理体上的技术。

为此，本发明的处理装置的特征在于，包括：