[发明专利]动态随机存取内存结构及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取内存结构，包含有：

一基底；

一凹入式栅极晶体管，位于该基底内，该凹入式栅极晶体管具有一栅极 导电层、一第一源/漏极、及一第二源/漏极，该栅极导电层自该基底内延伸 至该基底上；

一沟槽电容结构，位于该基底中，该沟槽电容结构经由一单边埋藏式导 电带与该第一源/漏极电性连接；

一第一导电结构，位于该沟槽电容结构上方而与这些沟槽电容结构接 触；

一堆叠电容结构，位于该第一导电结构上方而与该第一导电结构接触， 其中，该沟槽电容结构的下电极与该堆叠电容结构的上电极电连接而成为一 共同电极；及

一位线，位于该第二源/漏极的上方而与该第二源/漏极电性连接，并且 该位线的顶部低于该栅极导电层的顶部。

2.如权利要求1所述的动态随机存取内存结构，其特征在于该第一导电 结构包括：

一导电插塞，其配置于该沟槽电容结构上方而与该沟槽电容结构接触； 及

一接触节点，其配置于该导电插塞上方而与该导电插塞接触。

3.如权利要求2所述的动态随机存取内存结构，其特征在于该导电插塞 包括多晶硅或金属，及该接触节点包括钨金属。

4.如权利要求1所述的动态随机存取内存结构，其特征在于进一步包括 一第一金属内联机，与该栅极导电层交错配置，且该第一金属内联机与该栅 极导电层经由一第二导电结构连接。

5.如权利要求4所述的动态随机存取内存结构，其特征在于该第二导电 结构包括：

一连接垫，位于该栅极导电层上并以与该位线平行的方向延伸，以供与 该第一金属内联机的接合。

6.如权利要求5所述的动态随机存取内存结构，其特征在于该连接垫的 位置高于该位线而低于该堆叠电容结构，使连接于其上的该第一金属内联机 的位置高于该位线而低于该堆叠电容结构，而与该第一导电结构实质上不在 同一截面。

7.如权利要求4所述的动态随机存取内存结构，其特征在于该第二导电 结构包括：

一导电插塞，其位于该栅极导电层上对应于该晶体管的位置，而其下端 与该栅极导电层接触，其上端具有较该堆叠电容结构为高的高度，使连接于 其上端的该第一金属内联机于该堆叠电容结构上方越过。

8.一种制造动态随机存取内存结构的方法，包括：

提供一基底；

在该基底中形成一沟槽电容结构；

在该沟槽电容结构的顶部形成一顶部绝缘层；

在该基底上形成一位线接触及一位线；

在该位线旁的该基底中形成一晶体管结构，包括一栅极导电层、与该沟 槽电容结构电相连的一第一源/漏极、及与该位线接触电相连的一第二源/漏 极，该栅极导电层自该基底中延伸至该基底上，该栅极导电层的顶部高于该 位线的顶部；

通过该顶部绝缘层形成一第一导电结构于该沟槽电容结构上方而与该 沟槽电容结构接触；及

在该第一导电结构上方形成一堆叠电容结构而与该第一导电结构接触。

9.如权利要求8所述的制造动态随机存取内存结构的方法，其特征在 于，该第一导电结构包括形成于该沟槽电容结构上的一导电插塞及形成于该 导电插塞上的一接触节点。

10.如权利要求8所述的制造动态随机存取内存结构的方法，其特征在 于，在形成该第一导电结构之前，进一步包括于该栅极导电层上形成一连接 垫以与该位线平行的方向延伸至具有足以供一第一金属内联机接合的距离， 及形成该第一金属内联机，使该第一金属内联机与该栅极导电层交错配置并 经由该第二导电结构电相连。

11.如权利要求8所述的制造动态随机存取内存结构的方法，其特征在 于，在形成该堆叠电容结构之后，进一步包括于该栅极导电层上形成一接触 插塞，及形成一第一金属内联机与该栅极导电层交错排列，并经由该接触插 塞互相电相连，其中该第一金属内联机高于该堆叠电容结构的顶部。