[发明专利]用于制造发光元件的基板以及利用该基板制造的发光元件

权利要求书

1.一种用于制造发光元件的基板，包括：

至少一个平台区，具有供外延生长的第一长晶方向的平面；以及

多个连续的凸部，围绕所述平台区，以使平台区与另一平台区隔离， 其中所述多个连续的凸部不包含所述平台区，并且所述多个连续的凸部的 晶面方向大致上不包含所述第一长晶方向的平面，其中该平台区与该凸部 的晶面方向皆不包含连续性的长晶平面，且所述多个连续的凸部的表面为 平坦表面。

2.根据权利要求1所述的用于制造发光元件的基板，其中，所述第一 长晶方向的平面为C-plane蓝宝石的(0001)晶面方向。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的用于制造发光元件的基板，其 中，所述基板由蓝宝石或含硅材料制成。

4.一种发光元件，包括：

基板，包括至少一个平台区，具有供外延生长的第一长晶方向的平面； 以及多个连续的凸部，围绕所述平台区，以使平台区与另一平台区隔离， 其中所述多个连续的凸部不包含所述平台区，并且所述多个连续的凸部的 晶面方向大致上不包含所述第一长晶方向的平面，其中该平台区与该凸部 的晶面方向皆不包含连续性的长晶平面，且所述多个连续的凸部的表面为 平坦表面；

外延堆叠结构，叠置在所述基板上，沿叠置方向依次包括第一半导体 层、发光层、及第二半导体层，其中所述第一半导体层包括未被所述发光 层及所述第二半导体层覆盖的第一部分；

第一电极，与所述第一半导体层的所述第一部分相连接；以及

第二电极，与所述第二半导体层相连接，且与所述第一电极电分离。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第一半导体层为n型 半导体，且所述第二半导体层为p型半导体。

6.根据权利要求4至5中任一项所述的发光元件，其中，所述基板由 蓝宝石或含硅材料制成。

7.一种用于制造发光元件的基板，包括：

至少一个平台区，作为主要的外延生长平台，具有供外延生长的第一 长晶方向的平面；以及

多个连续的凸部，围绕所述平台区，以使平台区与另一平台区隔离， 其中所述多个连续的凸部不包含所述平台区，并且所述多个连续的凸部的 晶面方向大致上不包含所述第一长晶方向的平面，其中该平台区与该凸部 的晶面方向皆不包含连续性的长晶平面，用于提高光提取效率，且所述多 个连续的凸部的表面为平坦表面。

8.一种发光元件，包括：

基板，包括至少一个平台区，作为主要的外延生长平台，具有供外延 生长的第一长晶方向的平面；以及多个连续的凸部，围绕所述平台区，其 中所述多个连续的凸部不包含所述平台区，并且所述多个连续的凸部的晶 面方向大致上不包含所述第一长晶方向的平面，其中该平台区与该凸部的 晶面方向皆不包含连续性的长晶平面，以使平台区与另一平台区隔离，用 于提高光提取效率，且所述多个连续的凸部的表面为平坦表面；

外延堆叠结构，叠置在所述基板上，沿叠置方向依次包括第一半导体 层、发光层、及第二半导体层，其中所述第一半导体层包括未被所述发光 层及所述第二半导体层覆盖的第一部分；

第一电极，与所述第一半导体层的所述第一部分相连接；以及 第二电极，与所述第二半导体层相连接，且与所述第一电极电分离。