[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

半导体衬底，其包括通路孔，所述半导体衬底具有光入射到的第一表面和与第一表面相反的第二表面；

发射极部分，其形成在所述半导体衬底的第一表面、第二表面和通路孔的壁上；

基极部分，其在所述半导体衬底中与所述发射极部分一起形成p-n结；

第一电极，其电连接到所述发射极部分；和

第二电极，其电连接到所述基极部分，

其中，所述第一电极包括：

第一电极部分，其形成在所述半导体衬底的第一表面上；

第二电极部分，其形成在所述半导体衬底的第二表面上；和

连接电极部分，用于通过所述通路孔连接第一电极部分与第二电极部分；

其中，在第一电极部分与所述发射极部分之间的第一界面的结构，不同于在第二电极部分与所述发射极部分之间和在所述连接电极部分与所述发射极部分之间的第二界面的结构，

其中所述发射极部分与第一电极的第一电极部分被多个导电性晶体电连接，所述多个导电性晶体形成在所述第一界面处，且所述多个导电性晶体中的各晶体相互分开，而且

其中，第二界面和所述发射极部分形成表面相对结构，在所述表面相对结构中不形成导电性晶体。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述导电性晶体具有倒金字塔或锥的形状。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述连接电极部分与在所述通路孔中的所述发射极部分接触。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：

绝缘层，其包括形成在所述半导体衬底的第一表面上的第一绝缘部分和形成在所述通路孔的壁上的第二绝缘部分，

其中，第二绝缘部分被设置在所述连接电极部分与所述发射极部分之间。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，第二绝缘部分覆盖所述通路孔的内壁。

6.一种制造太阳能电池的方法，包括：

制备一半导体衬底，所述半导体衬底具有基极部分和发射极部分以形成p-n结，所述半导体衬底具有通路孔；

在所述半导体衬底的第一表面上涂敷用于形成第一电极部分的料浆；

在第一温度下对所述用于形成第一电极部分的料浆进行第一热处理，以形成第一电极的第一电极部分；

在所述半导体衬底的第二表面上和在所述通路孔的内壁上涂敷用于形成第一电极的第二电极部分和连接电极部分的料浆；并且

在低于第一温度的第二温度下对所述用于形成第二电极部分和连接电极部分的料浆进行第二热处理，以形成第一电极的第二电极部分和连接电极部分，

其中，在进行第一热处理时，形成多个导电性晶体，所述导电性晶体将所述发射极部分电连接到第一电极部分，并且所述晶体间相互分开，

在第二电极部分和所述发射极部分之间以及在连接电极部分和发射极部分之间的第二界面和所述发射极部分形成表面相对结构，在所述表面相对结构中不形成导电性晶体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电性晶体具有倒金字塔或锥的形状。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在进行第一热处理时，发生完全烧结过程以在第一电极部分和所述发射极部分之间的第一界面形成导电性晶体而将第一电极部分电连接到所述发射极部分。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在进行第二热处理时，不发生完全烧结过程。

10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在制备所述半导体衬底的步骤与涂敷所述用于形成第一电极部分的料浆的步骤之间，在所述半导体衬底的第一表面上和所述通路孔的内壁上形成绝缘层，

其中，在进行第一热处理时，所述用于形成第一电极部分的料浆蚀刻在所述半导体衬底的第一表面上形成的所述绝缘层的第一绝缘部分；和

在进行第二热处理时，所述用于形成第二电极部分的料浆不蚀刻在所述通路孔的内壁上形成的所述绝缘层的第二绝缘部分。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述用于形成第一电极部分的料浆包括：与所述用于形成第二电极部分和连接电极部分的料浆相同的材料。