[发明专利]电解质晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种电解质晶体管，包括：

栅极结构，其包括栅极介电层与栅极，位于基板上方；

两源极/漏极，其彼此分离，位于该栅极结构两侧的该基板上方；

电解质层，位于该两源极/漏极之间并与其接触，并且位于该栅极结构与该基板之间；

埋入式导电层，其位于该电解质层与该基板之间，以及

介电层，位于该埋入式导电层周围，且覆盖于该埋入式导电层上并且具有开口，暴露部分埋入式导电层，并隔绝该埋入式导电层与两源极/漏极；

其中，该电解质层形成在介电层的开口上并与埋入式导电层电性连接，该两源极/漏极之间的该电解质层包括沟道，通过该电解质层的氧化还原反应来改变其导电性，以开启或关闭该沟道。

2.如权利要求1所述的电解质晶体管，其中该电解质层的材质包括固态电解质。

3.如权利要求2所述的电解质晶体管，其中该固态电解质包括掺杂银、铜、铬或铌的硒化锗、硫化锗、AgTeSe、AgTeS、AgSeS或是有机材料。

4.如权利要求3所述的电解质晶体管，其中有机材料为一种聚合物材料。

5.如权利要求4所述的电解质晶体管，其中该聚合物材料选自聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚异唑萘、聚亚苯基亚乙烯基及其共聚物。

6.如权利要求4所述的电解质晶体管，其中该聚合物材料为3，4-二烷氧基噻吩的聚合物。

7.如权利要求4所述的电解质晶体管，其中该聚合物材料为3，4-二烷氧基噻吩的共聚物。

8.如权利要求6或7所述的电解质晶体管，其中该3，4-二烷氧基噻吩的聚合物或共聚物选自聚(3，4-亚甲基二氧噻吩)、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)、聚(3，4-亚丙基二氧噻吩)以及聚(3，4-亚丁基二氧噻吩)。

9.如权利要求3所述的电解质晶体管，其中该有机材料还包括阴离子化合物。

10.如权利要求9所述的电解质晶体管，其中该阴离子化合物包括聚(苯乙烯磺酸)或其盐类。

11.如权利要求3所述的电解质晶体管，其中该有机材料还包括粘合剂。

12.如权利要求11所述的电解质晶体管，其中该粘合剂选自明胶、明胶衍生物、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、多糖、聚丙烯酰胺、聚氨基甲酸酯、聚环氧丙烷、聚环氧乙烷、聚(苯乙烯磺酸)以及聚乙烯醇及其盐类以及其共聚物。

13.如权利要求2所述的电解质晶体管，其中该固态电解质还包括离子盐。

14.如权利要求2所述的电解质晶体管，其中该介电层还隔离该两源极/漏极与该基板。

15.如权利要求1所述的电解质晶体管，其中该介电层还隔离该两源极/漏极与该基板。

16.如权利要求1所述的电解质晶体管，其中该两源极/漏极的材质包括铝、银、金、白金、铜、铜铝合金、钨、镍、氮化钛、氮化钽、氮化钼或其组合。

17.如权利要求1所述的电解质晶体管，其中该栅极的材质包括铝、银、金、白金、铜、铜铝合金、钨、镍、氮化钛、氮化钽、氮化钼或其组合。

18.如权利要求1所述的电解质晶体管，其中该埋入式导电层的材质包括铝、银、金、白金、铜、铜铝合金、钨、镍、氮化钛、氮化钽、氮化钼或其组合。

19.如权利要求1所述的电解质晶体管为空乏型晶体管。

20.一种电解质晶体管的制造方法，包括：

在基板上形成埋入式导电层；

在该基板上形成介电层，该介电层具有开口，裸露出该埋入式导电层；

在该开口两侧的该介电层上分别形成源极/漏极；

在该两源极/漏极之间形成电解质层；以及

在该电解质层上形成栅极介电层与栅极，以构成栅极结构。

21.如权利要求20所述的电解质晶体管的制造方法，其中该介电层、该两源极/漏极、该电解质层、该栅极结构以及该埋入式导电层是以相同的技术方法形成。

22.如权利要求21所述的电解质晶体管的制造方法，其中该介电层、该两源极/漏极、该电解质层、该栅极结构以及该埋入式导电层是以喷墨印刷的技术形成的。