[发明专利]发光二极管封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装(light-emitting diode package，LEDpackage)，且特别涉及一种发光效率良好的发光二极管封装。 

背景技术

发光二极管(LED)属于半导体元件，其材料主要使用III-V族化学元素，如：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等化合物半导体，其发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与空穴的结合，将过剩的能量以光的形式释出，而达成发光的效果。由于发光二极管的发光现象不是通过加热发光或放电发光，因此发光二极管的寿命长达十万小时以上，且无须暖灯时间(idling time)。此外，发光二极管更具有反应速度快(约为10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、高可靠度、适合量产等优点，所以发光二极管所能应用的领域十分广泛，如大型看板、交通号志灯、手机、扫描器、传真机的光源以及照明装置等。 

由于发光二极管的发光亮度与发光效率持续地提升，同时白光的发光二极管也被成功地量产，所以逐渐有发光二极管被应用在照明器具、显示器的背光源或其他产品中。 

图1A是已知发光二极管封装的侧视图，而图1B是已知发光二极管芯片的剖面示意图。请参照图1A，已知的发光二极管封装100包括电路板110、发光二极管芯片120、多条焊线(bonding wires)130以及封装胶体(encapsulant)140。发光二极管120配置于电路板110上，并且透过焊线130与电路板110电性连接。此外，封装胶体130配置于电路板110上，以包覆发光二极管芯片120以及焊线130。 

请参照图1B，发光二极管芯片120包括基板122、N型掺杂层124、发光层126、P型掺杂层128、N型电极E1以及P型电极E2。N型掺杂层124配置于基板122上，发光层126配置于N型掺杂层124上，并且将部分的N型掺杂层124暴露，P型掺杂层128配置于发光层126上。此外，N型电极 E1配置于未被发光层126覆盖的N型掺杂层124上，且N型电极E1与N型掺杂层124之间形成良好的欧姆接触(ohmic contact)，而P型电极E2则配置于P型掺杂层128，且P型电极E2与P型掺杂层128之间形成良好的欧姆接触。 

由图1A可知，在已知的发光二极管封装100中，发光二极管芯片120的背面(rear surface)会与电路板110接合，而发光二极管芯片120所发出的部分光线会往电路板110的方向传递，这些光线通常需要透过多次的反射后才能够离开发光二极管芯片120内部，在各些光线被反射的过程中，大量的光损失是难以避免的。因此，已知的发光二极管封装100的发光效率仍有改进的空间。 

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种具有良好发光效率的发光二极管封装。 

本发明另提供一种具有多个发光二极管芯片且发光效率良好的发光二极管封装。 

本发明提供一种发光二极管封装，其包括承载器、发光二极管芯片以及多个导体。发光二极管芯片具有正面、背面及多个连接于正面与背面之间的侧壁，且发光二极管芯片的其中一个侧壁会朝向承载器，并与承载器连接。导体电性连接于承载器与发光二极管芯片之间。 

在本发明的实施例中，上述的承载器包括电路板或导线架。 

在本发明的实施例中，上述的发光二极管芯片具有多个电极，且这些电极配置于发光二极管芯片的正面上。 

在本发明的实施例中，上述的发光二极管芯片具有多个电极，且这些电极分布于发光二极管芯片的正面与背面上。 

在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装还包括配置于承载器上的胶体，以覆盖住发光二极管芯片。 

在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装还包括配置于胶体中的荧光材料，其中荧光材料受发光二极管芯片所发出的光线激发，而产生二次光线。 

在本发明的实施例中，上述的发光二极管芯片包括蓝光发光二极管芯片，而荧光材料包括钇铝石榴石(YAG)荧光材料。

在本发明的实施例中，上述的发光二极管封装还包括配置于承载器上的反射器，以反射出发光二极管芯片所发出的光线。 

本发明提出一种发光二极管封装，其包括承载器、多个发光二极管芯片以及多个导体。各个发光二极管芯片分别具有正面、背面以及多个连接于正面与背面之间的侧壁，其中各发光二极管芯片的其中一个侧壁朝向承载器，并与承载器连接。导体电性连接于承载器与发光二极管芯片之间。 

在本发明的实施例中，上述的多个发光二极管芯片分别发出不同颜色的光线。