[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：

具有一第一导电型的一衬底；

具有一第二导电型的一深阱，位于所述衬底中；

一缓冲区，位于所述深阱中；

具有所述第一导电型的一基体区，位于所述缓冲区中；

具有所述第二导电型的一源极区，位于所述基体区中；

具有所述第一导电型的一接触区，位于所述基体区中；

具有所述第二导电型的一第一淡掺杂区位于所述深阱中；

具有所述第二导电型的一漏极区，位于所述第一淡掺杂区中；

一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述基体区中；

一栅极结构，覆盖所述沟道区与部份所述缓冲区；以及

具有所述第二导电型的一第二淡掺杂区，位于所述源极区与所述沟道区之间；

其中，所述缓冲区为无掺杂区；或者所述缓冲区为具有所述第一导电型的一第一超淡掺杂区，其掺质浓度低于所述基体区的掺质浓度；或者所述缓冲区为具有所述第二导电型的一第二超淡掺杂区，其掺质浓度低于所述深阱的掺质浓度；或者所述缓冲区由具有所述第一导电型的多个第一超淡掺杂区与具有所述第二导电型的多个第二超淡掺杂区交替排列而成，所述这些第一超淡掺杂区与所述这些第二超淡掺杂区的延伸方向与所述沟道的长度的延伸方向平行，所述这些第一超淡掺杂区的掺质浓度低于所述基体区的掺质浓度，所述这些第二超淡掺杂区的掺质浓度低于所述深阱的掺质浓度。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件进一步包括具有第一导电型的一第三超 淡掺杂区，位于所述基体区与所述缓冲区之间，所述第三超淡掺杂区的掺质浓度介于所述第一超淡掺杂区的掺质浓度与所述基体区的掺质浓度之间。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，当所述第一导电型为P型时，所述第二导电型为N型，当所述第一导电型为N型时，所述第二导电型为P型。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件进一步包括一隔离结构，所述隔离结构包括：

一第一部分，覆盖部分所述深阱、部分所述缓冲区以及部分所述基体区上；以及

一第二部分，邻接所述漏极区的一侧，且覆盖部分所述深阱与部分所述第一淡掺杂区。

5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述隔离结构更包括一第三部分，位于所述漏极区与所述源极区之间，覆盖于部分所述深阱以及部分所述第一淡掺杂区上。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一淡掺杂区的掺质浓度介于所述漏极区的掺质浓度与所述深阱的掺质浓度之间。

7.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法包括：

在具有一第一导电型的一衬底中形成具有一第二导电型的一深阱；

于所述深阱中形成具有所述第二导电型的一第一淡掺杂区；

于所述深阱中形成一缓冲区；

于所述缓冲区中形成具有所述第一导电型的一基体区；

于部分所述基体区与所述缓冲区上形成一栅极结构，所述栅极结构所覆盖的所述基体区定义为一沟道区； 

于所述基体区中形成具有所述第二导电型的一第二淡掺杂区，其中所述第二淡掺杂区邻接所述沟道区；

于所述基体区与所述第一淡掺杂区中分别形成具有所述第二导电型的一源极区与一漏极区；以及

于所述基体区中形成具有所述第一导电型的一接触区；

其中，所述缓冲区为无掺杂区；或者所述缓冲区为具有所述第一导电型的一第一超淡掺杂区，其掺质浓度低于所述基体区的掺质浓度；或者所述缓冲区为具有所述第二导电型的一第二超淡掺杂区，其掺质浓度低于所述深阱的掺质浓度；或者所述缓冲区由具有所述第一导电型的多个第一超淡掺杂区与具有所述第二导电型的多个第二超淡掺杂区交替排列而成，所述这些第一超淡掺杂区与所述这些第二超淡掺杂区的延伸方向与所述沟道的长度的延伸方向平行，所述这些第一超淡掺杂区的掺质浓度低于所述基体区的掺质浓度，所述这些第二超淡掺杂区的掺质浓度低于所述深阱的掺质浓度。