[发明专利]有机EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置，特别涉及顶部发光(top emission)型的有源矩阵型有机EL显示装置的反射结构。

背景技术

在专利文献1中公开了以往的顶部发光型的有源矩阵型有机EL显示装置的反射结构。

在专利文献1中，公开了为改善铝与平坦化膜之间的密合性而适当插入钼类材料层的内容。

专利文献1：日本特开2005-222759号

发明内容

本发明人考虑到使像素电极和反射板的功能分离。当优先考虑反射率时，要采用铝类材料(Al、Al合金、AlSi等)作为反射部件。但是，如在专利文献1中公开的那样，铝类材料很难实现与像素电极ITO一起进行统一蚀刻，而且，在铝类材料成膜后形成ITO时，在其界面上生成高电阻的氧化铝。难以对经由该高电阻的氧化铝而流向像素电极ITO的电流进行控制。

因此，本发明人采用AlSi来形成反射膜，并在其上方形成有像素电极ITO。

但是，出现了AlSi与平坦化膜的密合性较差这样的问题，于是如专利文献1所记载的那样，尝试插入了作为钼类合金的MoW。

通过采用AlSi/MoW的层叠结构，能够提高与AlSi的密合性，但未考虑到它们的厚度、大小、蚀刻条件等，所以有时会由于来自平坦层的脱气(作用)而导致发光元件的寿命缩短。

本发明的目的在于提供一种不易受到来自有机平坦层的脱气的影响而使寿命延长的有机EL显示装置。

作为能够解决上述课题的手段，本发明提供一种显示装置，其具有多个像素，各像素由顶部发光型的有源矩阵型有机EL元件构成，顶部发光型的有源矩阵型有机EL元件包括：与有源元件连接的像素电极；配置在像素电极与有源元件之间且形成在平坦化层上的反射层；配置在上述像素电极上的有机发光层；以及配置在上述有机发光层上的共用电极，上述反射层具有由高熔点金属构成的第一反射层；和配置在上述第一反射层上、且由包括铝的合金、铝化合物或铝硅化物构成的第二反射层，上述第二反射层具有外周被第一反射层包围的平面图案，上述第一反射层的边缘配置在上述第二反射层的边缘的外侧，上述像素电极覆盖上述第二反射层。

这样，使用密合性高的高熔点金属作为下层的第一反射层，所以能够改善基底与平坦化膜的界面处的密合性。而且，使用第一反射膜所包含的图案来形成第二反射膜，所以能够使用像素电极直接覆盖第二反射层的上面以及侧面。由此，能堵塞来自平坦化膜的脱气向反射膜反射面侵入的侵入路径，所以能够延长使用寿命。

另外，当使第二反射层的边缘具有正向锥度时，像素电极的基于溅射的附着性提高，所以密合性提高，进而使寿命延长。

另外，在第二反射层为铝类合金的情况下，优选由钼或钨的合金构成第一反射层。

并且，当采用被由像素电极ITO还覆盖第一反射层的像素电极覆盖的结构、和第一反射层、上述第二反射层以及上述像素电极的边缘被像素分离层覆盖的结构时，能够进一步抑制来自平坦化膜的脱气。

根据本发明，能够提供寿命长的有机EL显示装置。

附图说明

图1是有机EL显示装置的剖面结构的图。

具体实施方式

以下，对实施例进行说明。

(实施例)

图1示出应用了本发明的有机EL显示装置的剖面结构。

应用了本发明的有机EL显示装置由有源元件TFT基板St、形成在TFT基板上的有机发光层30、以及形成在有机发光层30上的透明的共用电极31构成。

在TFT基板上，配置有形成沟道的半导体层11、栅极布线12、源/漏电极13、保护层14、平坦化层15、第一反射层16、第二反射层17、像素电极18、覆盖反射层和像素电极的边缘的像素分离层19。

平坦化层15具有缓和由位于下层的布线(栅极布线12、源/漏电极13等)产生的台阶的功能，提高上层的第一反射层16、第二反射层17以及像素电极18的平坦性。

平坦化层15是基于聚酰亚胺或丙烯酸的涂敷法而成膜的，但也可以是与基于SiO或SiN的CVD法形成的膜的层叠膜。