[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

电平移位电路，具备电平移位器，该电平移位器具有通过反相器电路输入 第一电压信号的输入用晶体管，根据所述输入用晶体管的状态对输出信号进行 输出，从所述第一电压信号向电压比所述第一电压高的第二电压信号变换；以 及

电路，在所述电平移位电路中在第二电源比第一电源先接通并且所述第二 电源的电压比所述第一电源的电压高的情况下，产生针对所述输入用晶体管的 输入信号，

所述反相器电路与所述第一电源连接，并由在内部形成有寄生二极管的晶 体管构成，

产生所述输入信号的电路具有：电流生成电路，在比所述第一电源先接通 所述第二电源时，通过所述寄生二极管向与所述反相器电路连接的关断状态的 第一电源流过电流；偏置电路，连接在所述电流生成电路和所述反相器电路之 间，接受所述电流并设定所述输入用晶体管的输入信号的电压状态，

所述电流生成电路具有电流镜电路，该电流镜电路在比所述第一电源先接 通所述第二电源时生成所述电流。

2.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述电流镜电路由多个MOS晶体管构成，在所述第一电源和所述第二电 源都接通时，从共同的电源对所述电流镜电路的输出MOS晶体管的栅极和源极 提供电压。

3.根据权利要求1的半导体装置，其中，

所述偏置电路是电阻元件。

4.根据权利要求1的半导体装置，其中，

所述偏置电路是传输门。

5.根据权利要求1的半导体装置，其中，

所述电流生成电路和所述偏置电路布置在所述反相器电路和所述电平移位 器之间。

6.一种半导体装置，其特征在于，

具备：利用第一电源电压进行动作的第一电源系电路；利用第二电源电压 进行动作的第二电源系电路，

在所述第一电源系电路和所述第二电源系电路之间的电压信号的电平变换 中使用权利要求1的半导体装置。