[发明专利]灰阶掩模及其缺陷修正方法、其制造方法、图案转印方法

权利要求书

1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法，该灰阶掩模具有遮光部、透光部和半透光 部，

上述半透光部使曝光光的透射量降低规定量且包括半透光膜，

在该半透光部所产生的缺陷区域，通过形成不同于上述半透光膜的组成的、 且具有与上述半透光膜不同的光透射率波长依存性的修正膜，来进行修正，

并且，上述灰阶掩模的缺陷修正方法，具有：

预先把握规定的曝光光波长与上述修正膜的光透射率的相关性的工序；

决定包括在上述曝光光波长区域中的基准波长的工序；

确定在半透光膜中产生的缺陷区域的工序；和

在所确定的上述缺陷区域，形成上述修正膜的工序；

并且，在上述修正膜形成工序中，

根据上述所把握的相关性，按照上述所决定的基准波长的光所对应的上述修 正膜的光透射率与上述半透光膜的光透射率之差在上述透光部的光透射率设为 100％时为1％以下的方式，决定上述修正膜的形成条件，适用上述所决定的形成 条件，形成上述修正膜。

2.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

上述形成条件的适用，通过上述修正膜的膜厚的选择而进行。

3.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

在i线～g线的波长区域的全部区域，上述修正膜的光透射率与上述半透光 膜的光透射率的差异在3％以内。

4.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

预先把握在形成具有规定的组成的上述修正膜时的形成条件与相对规定的 曝光光波长的上述修正膜的光透射率的相关性。

5.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

在上述修正膜形成工序，通过选择上述修正膜的形成条件中的上述修正膜的 组成，来调整上述修正膜的光透射率。

6.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

上述半透光膜的形成使用溅射法，并且在上述修正膜的形成中使用聚焦离子 束法(FIB)。

7.根据权利要求1所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

上述半透光膜的材料使用在硅化钼化合物、铬化合物、或Si、W、Al中的任 一个，上述修正膜使用以碳(C)为主成分的材料。

8.根据权利要求7所述的灰阶掩模的缺陷修正方法，其特征在于，

上述半透光膜的材料使用硅化钼化合物，并且上述修正膜使用以碳(C)为 主成分的材料。

9.一种灰阶掩模的制造方法，其包括权利要求1～8中的任意一项所述的缺陷 修正方法的缺陷修正工序。

10.一种图案转印方法，使用权利要求9所述的制造方法制造的灰阶掩模和规 定波长的曝光光，对被转印体上的抗蚀剂进行曝光，在上述被转印体上形成膜厚 阶段性或连续性不同的抗蚀图案。