[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一绝缘层，设置在硅衬底上；

连接布线，设置在该第一绝缘层上；

第二绝缘层，设置在该第一绝缘层和该连接布线上；

金属布线，以螺旋形设置在该第二绝缘层上，并且电连接到该连接布线；以及

至少两个孔，设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层中，并且位于该金属布线与该硅衬底之间，且位于该金属布线下方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个孔的宽度大于该金属布线的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述孔沿着该第二布线的长度方向间隔地排列在该第二布线下方。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个孔的宽度为大约1μm到大约5μm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括放射状沟槽图案，其中所述至少两个孔是该放射状沟槽图案的一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在每个孔的一部分中设置有第三绝缘层图案。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中该第三绝缘层图案、该金属布线以及该半导体衬底在每个孔中形成完全封闭的空气层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括通孔金属图案，其中该通孔金属图案与该金属布线和该连接布线接触。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少两个孔中设置在该金属布线的第一区下方的孔偏离所述至少两个孔中设置在该金属布线的邻近区中的孔。

10.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在硅衬底上形成第一绝缘层；

在该第一绝缘层上形成连接布线；

在该第一绝缘层和该连接布线上形成第二绝缘层；

在该第二绝缘层中形成通孔金属图案，该通孔金属图案与该连接布线接触；

形成贯穿该第一绝缘层和该第二绝缘层的至少两个孔；

在所述孔内形成牺牲层图案；

在该牺牲层图案和该第二绝缘层上形成金属布线，该金属布线与该通孔金属图案接触；以及

去除该牺牲层图案，以在该金属布线与该硅衬底之间形成空气层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中该金属布线具有至少一次绕线的螺旋形。

12.根据权利要求10所述的方法，其中该牺牲层图案包括有机层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该有机层的介电常数小于该第一绝缘层的介电常数和该第二绝缘层的介电常数。

14.根据权利要求10所述的方法，其中每个孔的宽度大于该金属布线的宽度。

15.根据权利要求10所述的方法，其中去除该牺牲层图案的步骤包括去除该牺牲层图案，直到暴露该半导体衬底。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括如下步骤：

在去除该牺牲层图案之后，在该第二绝缘层和该金属布线上形成第三绝缘层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中该第三绝缘层的一部分填充在每个孔的一部分中。

18.根据权利要求17所述的方法，其中每个孔中的该空气层被该第三绝缘层、该金属布线以及该半导体衬底完全包围。

19.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述至少两个孔的步骤包括在该第一绝缘层和该第二绝缘层中形成放射状沟槽图案，其中所述至少两个孔是该放射状沟槽图案的一部分。

20.根据权利要求19所述的方法，其中该放射状沟槽的宽度大于该金属布线的宽度。