[发明专利]钙钛矿型氧化物、铁电体膜及其制备方法、铁电体器件和液体排出装置

权利要求书

1.一种钙钛矿型氧化物，所述钙钛矿型氧化物由下面显示的式(P)表示:

(Pb_1-x+δM_x)(Zr_yTi_1-y)O_z    (P)

其中M表示选自Bi和镧系元素中的至少一种元素，

x表示满足0.05≤x≤0.4的条件的数值，并且

y表示满足0<y≤0.7的条件的数值，

标准组成是使得δ＝0和z＝3的组成，条件是在能够获得所述钙钛矿结构的范围内，δ值和z值分别可以偏离0和3的标准值。

2.如权利要求1所述的钙钛矿型氧化物，其中M表示Bi。

3.如权利要求1或2所述的钙钛矿型氧化物，其中x表示满足0.05≤x≤0.25的条件的数值。

4.如权利要求1或2所述的钙钛矿型氧化物，其中δ表示满足0<δ≤0.2的条件的数值。

5.如权利要求1或2所述的钙钛矿型氧化物，其中所述钙钛矿型氧化物基本上没有Si，Ge和V。

6.一种铁电体膜，所述铁电体膜含有如权利要求1或2所述的钙钛矿型氧化物。

7.如权利要求6所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜具有使得(Ec1+Ec2)/(Ec1-Ec2)×100(％)的值至多等于25％的特性，其中Ec1表示双极性极化-电场曲线中的正电场侧上的矫顽磁场，并且Ec2表示双极性极化-电场曲线中的负电场侧上的矫顽磁场。

8.如权利要求6所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜具有包含多个柱状晶体的膜结构。

9.如权利要求6所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜具有至少3.0μm的膜厚度。

10.如权利要求6所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜是通过非热平衡处理形成的。

11.如权利要求10所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜是通过溅射技术形成的。

12.如权利要求11所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜是在满足下面显示的式(1)和(2)的成膜条件下形成的：

Ts(℃)≥400        (1)

-0.2Ts+100<Vs-Vf(V)<-0.2Ts+130     (2)，

其中Ts(℃)表示成膜温度，并且Vs-Vf(V)表示在成膜时等离子体中的等离子体电位Vs(V)和浮动电位Vf(V)之差。

13.如权利要求11所述的铁电体膜，其中所述铁电体膜是在满足下面显示的式(1)，(2)和(3)的成膜条件下形成的：

Ts(℃)≥400     (1)

-0.2Ts+100<Vs-Vf(V)<-0.2Ts+130    (2)

10≤Vs-Vf(V)≤35     (3)，

其中Ts(℃)表示成膜温度，并且Vs-Vf(V)表示在成膜时等离子体中的等离子体电位Vs(V)和浮动电位Vf(V)之差。

14.一种用于制备如权利要求6所述的铁电体膜的方法，其中所述铁电体膜是通过非热平衡处理形成的。

15.如权利要求14所述的用于制备铁电体膜的方法，其中所述铁电体膜是通过溅射技术形成的。

16.如权利要求15所述的用于制备铁电体膜的方法，其中所述铁电体膜是在满足下面显示的式(1)和(2)的成膜条件下形成的：

Ts(℃)≥400     (1)

-0.2Ts+100<Vs-Vf(V)<-0.2Ts+130     (2)，

其中Ts(℃)表示成膜温度，并且Vs-Vf(V)表示在成膜时等离子体中的等离子体电位Vs(V)和浮动电位Vf(V)之差。