[发明专利]摄像装置

说明书

相关申请的交叉参考

在先申请号JP2007-221279，Iamge Pickup Apparetus，2007年8月28日，Tatsushi Ohyama，Toshikazu Ohno、JP2007-222555，IamgePickup Apparatus，2007年8月29日，Toshikazu Ohno，Tatsushi Ohyama是本专利申请的基础，结合在此作为参考。

技术领域

本发明涉及摄像装置，更具体地，本发明涉及增加像素中存储的电荷的摄像装置。

背景技术

一般而言，增加像素中存储的电荷的摄像装置是已知的。

一般而言，已知包括四个栅极电极的CCD(电荷耦合设备)摄像装置，其中，在各个栅极电极之下形成了像素分离屏障、电荷临时存储井、电荷转移屏障和电荷积蓄井。在这样的CCD摄像装置中，在电荷转移屏障和电荷积蓄井之间的界面上彼此相邻形成高电场区域。当临时存储井中存储的电荷穿过电荷转移屏障并移动至电荷积蓄井时，在该高电场区域中碰撞离子增加了电荷。在这样的CCD摄像装置中，将上一帧之后的一帧的高电场区域的电场强度控制为与该上一帧的亮度值成正比。因此，可以改进该CCD摄像装置的灵敏度。

发明内容

根据本发明的第一方面的摄像装置包括多个像素以及增加所述像素中存储的电荷的增加部分，其中，响应于入射到所述像素上的光的亮度，对每组至少一个像素，由所述增加部分控制增加电荷的次数。

根据本发明的第二方面的摄像装置包括多个像素、增加所述像素中存储的电荷的增加部分以及改变所述像素的曝光时间的曝光时间改变部分，其中，响应于入射到所述像素上的光的亮度，对包括至少一个像素的每组，切换对增加所述像素中存储的电荷的次数的控制以及对所述像素的曝光时间的控制。

结合附图，通过本发明的以下详细描述，本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点将变得更加显而易见。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的CMOS摄像装置的框图；

图2是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置的包括多个像素的图像传感器的图；

图3是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置像素的增加的控制的框图；

图4是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置的像素结构的电路图；

图5是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置的操作的控制流程的流程图；

图6是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置的像素选择的控制流程的流程图；

图7是示出了在增加电荷之后的亮度值与入射到像素上的光的明亮度(亮度)之间的关系的图；

图8是示出了根据本发明第一实施例的摄像装置的增加的次数的控制流程的流程图；

图9是示出了根据本发明第二实施例的摄像装置的像素的增加部分的控制的框图；

图10是示出了根据本发明第二实施例的摄像装置的控制流程的流程图；

图11是根据本发明第三实施例的摄像装置的像素的增加部分的控制的框图；

图12是示出了根据本发明第四实施例的摄像装置的像素结构的电路图；

图13是示出了根据本发明第五实施例的摄像装置的像素结构的电路图；

图14是示出了根据本发明第六实施例的摄像装置的控制流程的流程图；

图15是示出了根据本发明第七实施例的摄像装置的图像传感器的列解码器的图；

图16是示出了根据本发明第八实施例的列解码器和图像传感器的图；

图17是示出了根据本发明第九实施例的摄像装置的像素结构的图；

图18是示出了根据本发明第十实施例的摄像装置的像素的增加控制的框图；

图19是示出了根据本发明第十实施例的摄像装置的像素结构的电路图；

图20是示出了根据本发明第十实施例的摄像装置的像素控制的流程图；

图21是示出了根据本发明第十一实施例的摄像装置的像素结构的电路图；

图22是示出了根据本发明第十二实施例的摄像装置的像素结构的框图；

图23是示出了根据本发明第十二实施例的摄像装置的操作的控制的流程图；

图24是示出了根据本发明第十二实施例的摄像装置的增加次数的控制流程的流程图；

图25是示出了根据本发明第十三实施例的摄像装置的操作的控制流程的流程图；

图26是示出了根据本发明第十三实施例的摄像装置的增加的次数的控制流程的流程图；