[发明专利]ED反相电路及包含ED反相电路的集成电路元件

权利要求书

1.一种增强/耗尽反相器，包括：

在衬底上由具有较小带隙的p型第一氮化物基化合物半导体形成的 第一半导体层；

在第一半导体层上由具有较宽带隙的第二氮化物基化合物半导体 形成的第二半导体层，所述第二半导体层在预定位置处包括第一开口， 以通过第一开口露出第一半导体层；

在所述第一半导体层中的从第一开口处露出的那一部分上形成的 栅绝缘膜；

在所述栅绝缘层上形成的第一栅电极；

在所述第一栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成 的第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极与所述 第二半导体层形成欧姆接触；

在所述第二半导体层上形成的第二栅电极，所述第二栅电极与所述 第二半导体层形成肖特基接触；以及

在所述第二栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成 的第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极与所述 第二半导体层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1的增强/耗尽反相器，还包括在所述第一半导体层 和所述第二半导体层之间由第三氮化物基化合物半导体形成的第三半导 体层，所述第三半导体层包括与所述第一开口重叠的第二开口，其中

所述第三氮化物基化合物半导体是未掺杂的GaN半导体，形成第 一半导体层的氮化物基化合物半导体是GaN半导体。

3.根据权利要求1的增强/耗尽反相器，其中，

第一半导体层由GaN形成，

第二半导体层由AlGaN形成，以及

增强/耗尽反相器还包括在所述第一半导体层和所述第二半导体层 之间由AlN形成的间隔层，所述间隔层包含与所述第一开口重叠的第三 开口。

4.根据权利要求2的增强/耗尽反相器，其中，

第一半导体层由GaN形成，

第二半导体层由AlGaN形成，以及

增强/耗尽反相器还包括在所述第三半导体层和所述第二半导体层 之间由AlN形成的间隔层，所述间隔层包含与所述第一开口重叠的第三 开口。

5.根据权利要求1到4之一的增强/耗尽反相器，还包括在所述第二 半导体层和所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极以及所 述第二漏电极中的至少一个之间形成的帽盖层，其中

所述帽盖层的载流子浓度高于所述第二半导体层的载流子浓度。

6.一种增强/耗尽反相器，包括：

在衬底上由具有较小带隙的未掺杂第一氮化物基化合物半导体形 成的第一半导体层；

在所述第一半导体层上由具有较宽带隙的第二氮化物基化合物半 导体形成的第二半导体层，所述第二半导体层在预定位置处包括第一开 口，以通过第一开口露出第一半导体层；

使用外延生长在所述第一半导体层中的从第一开口处露出的那一 部分上由p型第三氮化物基化合物半导体形成的第三半导体层，所述p 型第三氮化物基化合物半导体是GaN半导体，形成第一半导体层的氮化 物基化合物半导体是GaN半导体；

在所述第三半导体层上形成的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成的第一栅电极；

在所述第一栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成 的第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极与所述 第二半导体层形成欧姆接触；

在所述第二半导体层上形成的第二栅电极，所述第二栅电极与所述 第二半导体层形成肖特基接触；以及

在所述第二栅电极的两侧，在所述第二半导体层上的预定位置形成 的第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极与所述 第二半导体层形成欧姆接触。

7.根据权利要求6的增强/耗尽反相器，还包括在所述第二半导体层 和所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极以及所述第二漏 电极中的至少一个之间形成的帽盖层，其中

所述帽盖层的载流子浓度高于所述第二半导体层的载流子浓度。

8.一种集成电路元件，包括根据权利要求1到4之一的增强/耗尽反 相器。

9.一种集成电路元件，包括根据权利要求6或7的增强/耗尽反相器。