[发明专利]温度检测电路

权利要求书

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：

一能隙参考电压产生器，用以产生一参考电压与一第一参考电流；以及

一比较模块，根据该第一参考电流产生一检测电压，并比较该参考电压与该检测电压以输出一停机信号，

其中该停机信号对应于一特定温度。

2.如权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器包括：

一第一电流源，用以产生一第二参考电流；以及

一第二电流源，耦接于该第一电流源，并根据该第二参考电流产生该第一参考电流；

其中，该能隙参考电压产生器根据该第二参考电流产生该参考电压。

3.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该比较模块包括：

一温度感测电阻，耦接于该第二电流源与一接地端之间，其中该温度感测电阻与该第二电流源的一第一共享节点产生该检测电压；以及

一比较器，耦接于该能隙参考电压产生器的输出与该第一共享节点，用以比较该参考电压与该检测电压以输出该停机信号。

4.如权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，该温度感测电阻具有一正温度系数。

5.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器还包括：

一能隙参考电路，耦接于该第一电流源与该接地端之间，用以产生一第一节点电压与一第二节点电压；以及

一运算放大器，耦接于该能隙参考电路并根据该第一节点电压与该第二节点电压输出一调整电压至该第一电流源以调整该第二参考电流。

6.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该运算放大器包括：

一第三电流源，耦接于该第一电流源，并根据该第二参考电流产生一第三参考电流；

一差动放大器，耦接于该第三电流源与该接地端之间，并根据该第一节点电压与该第二节点电压输出一差动电压；以及

一输出级电路，耦接于该差动放大器，并根据该差动电压输出该调整电压至该第一、二以及第三电流源以调整该第二、一以及第三参考电流。

7.如权利要求6所述的温度检测电路，其特征在于，该输出级电路包括：

一PMOS晶体管，该PMOS晶体管的一端耦接于一电压源，该PMOS晶体管的栅极耦接该第一电流源以产生对应于该第二参考电流的一第四参考电流；以及

一NMOS晶体管，耦接于该PMOS晶体管的另一端与该接地端之间，且该NMOS晶体管的栅极耦接于该差动电压，

其中，该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的一第二共享节点耦接于该PMOS晶体管的栅极，且该第二共享节点输出该调整电压。

8.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电压产生器还包括：

一PMOS晶体管，耦接于一电压源与一电阻之间，且该PMOS晶体管的栅极耦接于该第一电流源；以及

一双极性晶体管，耦接于该电阻的另一端与该接地端之间，且该双极性晶体管的基极耦接于该接地端，

其中，该电阻与该PMOS晶体管的一第二共享节点输出该参考电压。

9.如权利要求8所述的温度检测电路，其特征在于，该双极性晶体管为一PNP双极性晶体管。

10.如权利要求5所述的温度检测电路，其特征在于，该能隙参考电路包括：

一第一电阻，耦接于该第一电流源与一第一双极性晶体管之间，且该第一双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于该接地端；以及

一第二电阻，与一第三电阻串联耦接于该第一电流源与一第二双极性晶体管之间，且该第二双极性晶体管的另一端与基极皆耦接于该接地端，

其中，该第一电阻与该第一双极性晶体管的一第二共享节点输出该第一节点电压，该第二电阻与该第二双极性晶体管的一第三共享节点输出该第二节点电压。

11.如权利要求10所述的温度检测电路，其特征在于，该第一双极性晶体管与该第二双极性晶体管皆为一PNP双极性晶体管。

12.如权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，该第一电流源包括一第一PMOS晶体管，该第二电流源包括一第二PMOS晶体管，且该第一PMOS晶体管与该第二PMOS晶体管的栅极相互耦接以形成一电流镜。