[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一硅基材；

多个角锥形硅刻面结构，形成于该硅基材的上表面，其中所述多个角锥形硅刻面结构彼此分离；以及

一Ⅲ族氮化层，位于所述多个角锥形硅刻面结构上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该硅基材是硅(100)基材，以及其中所述多个角锥形硅刻面结构的斜面具有一(111)表面晶相。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个角锥形硅刻面结构以重复图案排列。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该Ⅲ族氮化层接触所述多个角锥形硅刻面结构的斜面。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一掩模，该掩模包括多个第一平行线，以及多个第二平行线垂直于所述多个第一平行线，其中该掩模分隔所述多个角锥形硅刻面结构，且该掩模包括介于所述多个角锥形硅刻面结构且靠近于所述多个角锥形硅刻面结构底部的部分。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括额外的掩模，覆盖所述多个角锥形硅刻面结构较高的部分，其中所述多个角锥形硅刻面结构的较低部分未被该额外的掩模覆盖，以及其中该额外的掩模位于Ⅲ族氮化层下方。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一发光二极管，位于Ⅲ族氮化层上。

8.一种半导体元件，包括：

一硅(100)基材；

多个角锥形硅刻面结构，形成于该硅(100)基材的上表面且接触该硅(100)基材，其中所述多个角锥形硅刻面结构以一阵列排列，以及其中所述多个角锥形硅刻面结构的斜面具有(111)表面晶相；以及

一氮化镓层，位于所述多个角锥形硅刻面结构上，其中该氮化镓层接触所述多个角锥形硅刻面结构的斜面。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该氮化镓层具有一非平坦的上表面，其中该半导体元件还包括一发光二极管，该发光二极管包括一活化层，以及该活化层为非平坦。

10.如权利要求8所述的半导体元件，还包括多个掩模，每一掩模覆盖所述多个角锥形硅刻面结构的顶部分，其中所述多个掩模邻接所述多个硅刻面结构。

11.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一发光二极管，位于该氮化镓层上。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该掩模的上表面低于所述多个角锥形硅刻面结构的顶端。

13.一种半导体元件，包括：

一硅基材，具有一表面晶相，自以下所构成的族群中选择：(100)以及(110)的表面晶相；

多个角锥形硅刻面结构，形成于且接触该硅基材的上表面，其中所述多个角锥形硅刻面结构以一阵列排列，以及其中所述多个角锥形硅刻面结构的斜面具有(111)的表面晶相；

一氮化镓层，位于所述多个角锥形硅刻面结构上，其中该氮化镓层接触所述多个角锥形硅刻面结构的斜面，以及其中该氮化镓层具有一结晶结构；以及

一额外层，位于该氮化镓层之上以及接触该氮化镓层，其中该氮化镓层以及该额外层由不同材料组成。

14.如权利要求13所述的半导体元件，还包括一孔洞，介于两个角锥形硅刻面结构之间。

15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该氮化镓层以及该额外层是非平坦的。