[发明专利]用以减少电磁干扰影响的变压器及其适用的电源转换电路有效
申请号: | 200810215063.3 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101673611A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 欧阳志弘;许志勋;林瑞玲 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/36;H01F41/06;H02M5/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用以 减少 电磁 干扰 影响 变压器 及其 适用 电源 转换 电路 | ||
1.一种变压器,至少包含:
一绕线基座;
一磁芯组,部分穿设该绕线基座;
一第一初级绕线,缠绕于该绕线基座上,且由一第一绕线部及一第二绕 线部所构成,其中该第一绕线部的电磁干扰大于该第二绕线部;
一次级绕线,缠绕于该第一初级绕线上;
一第二初级绕线,缠绕于该次级绕线上,且该第二初级绕线由一第三绕 线部及一第四绕线部所构成,且该第三绕线部的电磁干扰小于该第四绕线 部;以及
一第一屏蔽元件,设置于该第一初级绕线及该次级绕线之间,用以阻隔 该第一初级绕线的电磁干扰传导至该次级绕线;
其中,该第一初级绕线的该第一绕线部与该磁芯组相邻设,以通过该磁 芯组来屏蔽该第一绕线部的电磁干扰,该第二绕线部缠绕于该第一绕线部上 而与该次级绕线相邻近,以增加该第一初级绕线及该次级绕线的电磁耦合 率。
2.如权利要求1所述的变压器,其中该第一初级绕线、该第二初级绕线 以及该次级绕线采用三明治绕法,使该次级绕线缠绕于该第一初级绕线及该 第二初级绕线之间。
3.如权利要求2所述的变压器,其中该变压器还具有一第二屏蔽元件, 设置于该第二初级绕线及该次级绕线间,用以阻隔该第二初级绕线的电磁干 扰传导至该次级绕线,而该第一屏蔽元件及该第二屏蔽元件分别为一金属薄 片所构成。
4.如权利要求3所述的变压器,其中该第三绕线部缠绕于该第二屏蔽元 件上而与该次级绕线相邻近,该第四绕线部缠绕于该第三绕线部上,增加该 第二初级绕线及该次级绕线间的电磁耦合率。
5.如权利要求4所述的变压器,其中该第一初级绕线与该第一屏蔽元件 间、该次级绕线与该第一屏蔽元件间,该次级绕线与该第二屏蔽元件间以及 该第二初级绕线与该二屏蔽元件间分别设置一绝缘物质以彼此隔离,而该绝 缘物质为一绝缘胶带。
6.一种电源转换电路,至少包含:
一开关元件;
一电源输入端,用以接收一电源信号;以及
一变压器,与该电源输入端及该开关元件电连接,用以接收并转换该电 源信号,该变压器至少包含:
一绕线基座;
一磁芯组,部分穿设该绕线基座;
一第一初级绕线,缠绕于该绕线基座上,且具有一第一绕线部及一 第二绕线部,其中该第一绕线部与该开关元件电连接,该第一绕线部的电磁 干扰大于该第二绕线部;
一次级绕线,缠绕于该第一初级绕线上;
一第二初级绕线,缠绕于该次级绕线上,且该第二初级绕线由一第 三绕线部及一第四绕线部所构成,且该第三绕线部的电磁干扰小于该第四绕 线部;以及
一第一屏蔽元件,设置于该第一初级绕线及该次级绕线之间,用以 阻隔该第一初级绕线的电磁干扰传导至于该次级绕线;
其中,该第一初级绕线的该第一绕线部与该磁芯组相邻设,以通过该磁 芯组来屏蔽该第一绕线部的电磁干扰,该第二绕线部缠绕于该第一绕线部上 而与该次级绕线相邻,以增加该第一初级绕线及该次级绕线的电磁耦合率。
7.如权利要求6所述的电源转换电路,其中该第三绕线部与该电源输入 端电连接,该第四绕线部与该第一初级绕线电连接,而该开关元件为一N沟 道金属氧化物半导体场效晶体管。
8.如权利要求7所述的电源转换电路,其中该变压器还具有一第二屏蔽 元件,设置于该第二初级绕线及该次级绕线间,用以阻隔该第二初级绕线的 电磁干扰传导至该次级绕线。
9.如权利要求8所述的电源转换电路,其中该第二初级绕线的该第三绕 线部缠绕于该第二屏蔽元件上而与该次级绕线相邻近,该第四绕线部缠绕于 该第三绕线部上,以增加该第二初级绕线及该次级绕线间的电磁耦合率。
10.如权利要求8所述的电源转换电路,其中该电源转换电路还具有一 跳线路径,该跳线路径与该第一屏蔽元件、该第二屏蔽元件以及该开关元件 电连接,用以使该第一初级绕线、该第二初级绕线、该第一屏蔽元件、该第 二屏蔽元件以及该开关元件间形成路径最小的一回路,以使该第一初级绕线 及该第二初级绕线的电磁干扰于该回路中传导,以减少该电磁干扰的发散。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司,未经台达电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810215063.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。