[发明专利]具有光调制膜的光控制装置无效
申请号: | 200810215199.4 | 申请日: | 2006-01-19 |
公开(公告)号: | CN101414092A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 藤森敬和;藤井刚 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/21 | 分类号: | G02F1/21;G02F1/03 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有光 调制 控制 装置 | ||
1.一种光调制装置,其特征在于,其包括:
谐振器,其具有根据施加的电压而折射率产生变化的光调制膜被反射层夹住设置的法布里珀罗型谐振器结构,所述谐振器具有:基板、所述基板上设置的第一反射层、设置在所述第一反射层上且通过施加的电场而能控制折射率的光调制膜、设置在所述光调制膜上的第二反射层、及向所述光调制膜上施加电场的透明电极对;
偏压部,其生成用于校正所述谐振器的谐振波长的偏压;以及
控制部,其通过向所述谐振器的所述透明电极对,施加在用于控制所述谐振器的反射率的控制电压上重叠了所述偏压而得到的电压,调制并射出向所述谐振器射入的光。
2.如权利要求1所述的光调制装置,其特征在于,
其至少具备多组所述谐振器和所述控制部。
3.如权利要求1或2所述的光调制装置,其特征在于,
所述光调制膜是折射率与施加电场的平方成正比变化的光电材料。
4.如权利要求3所述的光调制装置,其特征在于,
所述光电材料是钛酸锆酸铅或是钛酸锆酸镧铅。
5.如权利要求1或2所述的光调制装置,其特征在于,
所述光调制膜是折射率与施加的电场成比例变化的光电材料,所述偏压部生成正负任一个偏压。
6.如权利要求5所述的光调制装置,其特征在于,
所述光电材料是铌酸锂、钽酸锂、铌酸锶钡的任一个。
7.如权利要求1所述的光调制装置,其特征在于,
还具有光检测元件,其生成与自所述谐振器反射的光的强度对应的电信号,
所述偏压部包括:
A/D变换部,其将由所述光检测元件生成的电信号变换成数字值;
CPU存储部,其生成通过反馈控制而被调节的数字控制信号以使被所述光检测元件检测到的光的强度成为最小;
D/A变换部,其将所述数字控制信号变换成模拟值并生成偏压。
8.如权利要求1或2所述的光调制装置,其特征在于,
其还具备调整由所述偏压部生成的偏压的调整电路。
9.如权利要求1或2所述的光调制装置,其特征在于,
该光调制装置作为半导体集成电路装置而被单芯片化。
10.如权利要求9所述的光调制装置,其特征在于,
为了调整偏压而具备用于输入指示信号的端子。
11.如权利要求1所述的光调制装置,其特征在于,所述第二反射层构成为第一电介质膜和第二电介质膜交替地层合。
12.如权利要求1所述的光调制装置,其特征在于,所述偏压部具有:
在第一电压和比所述第一电压低的第二电压之间依次串联连接的晶体管、可变电阻和第一电阻;
在所述第一电压和所述第二电压之间依次串联连接的第二电阻和定电压二极管;
输出端子与所述晶体管的控制端子连接的运算放大器,该运算放大器的第一输入端子(+)受到所述第二电阻和所述定电压二极管的连接点的电压,该运算放大器的第二输入端子(-)受到所述可变电阻和所述第一电阻的连接点的电压;
所述偏压部将所述晶体管和所述可变电阻的连接点的电压作为所述偏压而输出。
13.一种光调制装置的校正方法,该光调制装置包括:谐振器,其具有根据施加的电压而折射率产生变化的光调制膜被反射层夹住设置的法布里珀罗型谐振器结构,所述谐振器具有:基板、所述基板上设置的第一反射层、设置在所述第一反射层上且通过施加的电场而能控制折射率的光调制膜、设置在所述光调制膜上的第二反射层、及向所述光调制膜上施加电场的透明电极对;
偏压部,其生成用于校正所述谐振器的谐振波长的偏压;以及
控制部,其通过向所述谐振器的所述透明电极对,施加重叠有所述偏压的控制电压,调制并射出向所述谐振器射入的光,
所述光调制装置的校正方法的特征在于,
在没有向所述谐振器施加电压的状态下测量从谐振器射出的光的强度,并根据该光的强度来设定所述偏压。
14.一种光调制系统,其特征在于,其包括:
权利要求1或2所述的光调制装置、
向该光调制装置照射光的发光部、
接受从该光调制装置射出的光的受光部。
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