[发明专利]LCD驱动IC及其制造方法无效
| 申请号： | 200810215306.3 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101378081A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张德基 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | lcd 驱动 ic 及其 制造 方法 | ||
1.一种LCD驱动IC，包括：
第一导体类型阱，位于衬底中；
第二导电类型漂移区，位于该第一导体类型阱中；
第一隔离层，位于该第二导电类型漂移区中；
栅极，位于该第一隔离层的第一侧的衬底上；以及
第二导电类型第一离子注入区，位于该第一隔离层和该栅极之间的该第二导电类型漂移区中。
2.如权利要求1所述的LCD驱动IC，还包括：第二导电类型第二离子注入区，位于该第一隔离层的第二侧的第二导电类型漂移区中。
3.如权利要求1所述的LCD驱动IC，还包括：间隔件，位于该栅极的横侧。
4.如权利要求1所述的LCD驱动IC，其中，该第二导电类型第一离子注入区包括高浓度的第二导电类型离子。
5.一种LCD驱动IC的制造方法，包括如下步骤：
在衬底中形成第一导电类型阱；
在该第一导电类型阱中形成第二导电类型漂移区；
在该第二导电类型漂移区中形成第一隔离层；
在位于该第一隔离层的第一侧的衬底上形成栅极；以及
在位于该第一隔离层和该栅极之间的该第二导电类型漂移区中形成第二导电类型第一离子注入区。
6.如权利要求5所述的方法，还包括如下步骤：在形成该栅极之后，在位于该第一隔离层的第二侧的该第二导电类型漂移区中形成第二导电类型第二离子注入区。
7.如权利要求6所述的方法，其中，该第二导电类型第一离子注入区和该第二导电类型第二离子注入区同时形成。
8.如权利要求5所述的方法，还包括如下步骤：在该栅极的横侧形成间隔件。
9.如权利要求8所述的方法，其中形成该第二导电类型第一离子注入区的步骤包括使用该间隔件作为缓冲器来执行离子注入工艺。
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