[发明专利]阵列基板和具有该阵列基板的显示面板有效
申请号: | 200810215309.7 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN101436602A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 张钟雄 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 具有 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括:
基础基板;
栅极线,在基础基板上沿第一方向延伸;
数据线,沿与第一方向交叉的第二方向延伸;
多个共电极,形成在基础基板的多个像素区域中,所述共电极彼此分开;
屏蔽电极,形成在数据线下方,并形成在多个共电极中的形成在相邻像 素区域中的两个共电极之间,其中,将相同电平的电压施加到屏蔽电极和多 个共电极;
像素电极,具有与共电极叠置的至少一部分,像素电极具有多个形成在 其上的开口。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,屏蔽电极和共电极由相同的材 料形成。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其中,屏蔽电极由光学不透明且导电 的材料形成。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其中,屏蔽电极和栅极线由相同的材 料形成。
5.如权利要求1所述的阵列基板,还包括形成在数据线和屏蔽电极之间 的半导体层。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其中,多个共电极包括共同地形成在 沿第一方向布置的多个像素区域中的共电极图案。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其中,屏蔽电极与共电极图案叠置并 且接触共电极图案。
8.如权利要求7所述的阵列基板,还包括形成在数据线和屏蔽电极之间 的半导体层。
9.如权利要求1所述的阵列基板,还包括沿第二方向电连接彼此相邻的 共电极的桥电极。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其中,桥电极和像素电极由相同的 材料形成。
11.一种显示面板,包括阵列基板和结合到阵列基板的相对基板,其中, 阵列基板包括:
基础基板;
栅极线,在基础基板上沿第一方向延伸;
数据线,沿与第一方向交叉的第二方向延伸;
多个共电极,形成在基础基板的多个像素区域中,所述共电极彼此分开;
屏蔽电极,形成在数据线下方,并形成在多个共电极中的形成在相邻像 素区域中的两个共电极之间,其中,将相同电平的电压施加到屏蔽电极和多 个共电极;
像素电极,具有与共电极叠置的至少一部分,像素电极具有多个形成在 其上的开口。
12.如权利要求11所述的显示面板,其中,相对基板包括与每个像素区 域对应地形成的滤色器。
13.如权利要求11所述的显示面板,其中,相对基板包括形成在与栅极 线和数据线对应的区域中的光阻挡图案。
14.如权利要求11所述的显示面板,其中,屏蔽电极和共电极由相同的 材料形成。
15.如权利要求11所述的显示面板,其中,屏蔽电极由光学不透明且导 电的材料形成。
16.如权利要求11所述的显示面板,其中,屏蔽电极和栅极线由相同的 材料形成。
17.如权利要求11所述的显示面板,其中,相对基板包括与栅极线对应 地形成的光阻挡图案,在与数据线对应的区域中去除了光阻挡图案。
18.如权利要求11所述的显示面板,其中,多个共电极包括共同地形成 在沿第一方向布置的多个像素区域中的共电极图案。
19.如权利要求18所述的显示面板,其中,屏蔽电极形成在共电极图案 上并接触共电极图案。
20.如权利要求19所述的显示面板,其中,相对基板包括与栅极线对应 地形成的光阻挡图案,在与数据线对应的区域中去除了光阻挡图案。
21.如权利要求11所述的显示面板,其中,阵列基板还包括沿第二方向 电连接彼此相邻的共电极的桥电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810215309.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可逆冷轧机工作辊水平横移装置
- 下一篇:铜核层多层封装基板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的