[发明专利]具有连接装置和至少一个半导体构件的结构

权利要求书

1.一种结构，具有与至少一个半导体元件(3a/b，4，5)导电连接的连接装置(1)并具有填充物(8)，其中所述连接装置(1)被实现为至少包含一个绝缘薄膜(14)和两个导电薄膜(10，12)的复合薄膜，这个复合薄膜具有层结构，其中导电薄膜(10/12)与绝缘薄膜(14)交替排列，并且至少一个导电薄膜被构造(18)从而形成导电线路(100，120)，其中在相应导电薄膜(10，12)中的至少一个凹槽(60/62/64/66)被分配给至少一个半导体元件(3/4/5)，并且所述至少一个凹槽(6)至少部分地位于导电薄膜(10/12)被半导体元件所覆盖的区域中，所述凹槽具有最大为相应半导体元件面积25％的面积，并且其中填充物(8)位于连接装置(1)与至少一个半导体元件(3a/b)之间。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述至少一个半导体元件被设计为功率半导体构件(3a/b)或驱动组件(4，5)。

3.如权利要求1所述的结构，其中第一个导电薄膜具有凸起(16a/b)，并且其中至少一个功率半导体构件(3a/b)借助于材料一体或力耦合的连接与所述凸起(16a)导电连接。

4.如权利要求1所述的结构，其中至少一个驱动组件(4，5)借助于材料一体方式的粘合连接(9)与第二个导电薄膜(12)相连接。

5.如权利要求1所述的结构，其中所述至少一个凹槽被设计成圆柱形和/或L形和/或十字形。

6.如权利要求1所述的结构，其中所述凹槽以其面积的一部分可见的方式从相应的半导体元件下面伸出。

7.如权利要求1所述的结构，其中所述凹槽的整个面积被设置在相应半导体元件下方并位于其中央。

8.如权利要求1所述的结构，其中所述凹槽具有导电薄膜(10，12)厚度的20％至100％之间的深度。

9.如权利要求1所述的结构，其中所有对应于一个半导体元件的凹槽的面积小于此半导体元件面积的50％。