[发明专利]一种获取闪存物理参数的方法有效

专利信息
申请号: 200810216977.1 申请日: 2008-10-23
公开(公告)号: CN101430936A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 谭四方;罗挺;成晓华 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G11C16/20 分类号: G11C16/20
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所 代理人: 王永文
地址: 518057广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 获取 闪存 物理 参数 方法
【权利要求书】:

1.一种获取闪存物理参数的方法,其包括以下步骤:

A、在所述闪存与闪存控制器之间的数据总线的任意数据线上预先设置上拉电阻或下拉电阻,所述上拉电阻或下拉电阻的阻值在1K至1M欧姆之间;

B、上电后,所述闪存控制器测知所述数据总线的各数据线上电阻之配置状态,是上拉电阻或下拉电阻或都没有;

C、根据上述配置状态,所述闪存控制器自动形成一个状态配置编码;

D、根据上述配置编码,所述闪存控制器在预先设置的闪存物理参数配置查找表里获取所对应闪存的物理参数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤B还包括:

B1、所述闪存控制器将其数据总线上的所有闪存的片选置为禁止其数据输出的状态;

B2、所述闪存控制器将数据总线转换为输入模式;

B3、所述闪存控制器在一定时间后马上读取该数据总线上各数据线的状态,由此获知各数据线上电阻的配置状态信息。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:

所述闪存物理参数配置查找表存放在闪存控制器中,或,存放在闪存芯片中。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:

所述数据线的宽度是4位、8位、16位、32位或64位。

5.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述步骤B1还包括: 

在所述数据总线中预先选择一数据线,用于在没有连接上拉电阻时表示当前没有闪存物理参数配置信息或配置信息无效。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤A之前还包括以下步骤:

A01、向闪存芯片发送命令码0x00;

A02、依次发送四个地址码0x00,0x00,0x00,0x00;

A03、在等待一预定时间TA后,检测闪存芯片的Ready/Busy引脚即RB引脚状态,如果其状态为Busy,则确定该闪存为小page模式。

7.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤A03中如果状态为Ready,则进一步执行以下步骤:

A04、向所述闪存芯片发送地址码0x00;

A05、向所述闪存芯片发送命令码0x30;

A06、在等待一预定时间TB后,检测闪存芯片的Ready/Busy引脚即RB引脚状态;如果其状态为Busy,则确定该闪存芯片的物理参数;如果其状态为Ready,则检测失败。

8.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述预定时间TA及预定时间TB的优选值都为200ns至500ns。

9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于:

在小Page模式时,Page大小为512byte或528byte。 

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