[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法无效
| 申请号： | 200810217208.3 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101728457A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李宗德;王胜亚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池片的制备方法，步骤包括，
1)高温烧结条件下，以导电体为衬底沉积熔融硅材料制备含有背电场的硅片；
2)将步骤(1)所得硅片制绒；
3)将步骤(2)所得硅片制氮化硅膜；
4)将步骤(3)所得硅片印刷正电极；
5)将步骤(4)所得硅片烧结。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中烧结温度为800～900℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中导电体为设置在玻璃基底上的导电金属片，所述导电金属片为厚度低于2mm的导电金属箔片。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中硅材料为纯度大于99.9999％的N型硅料或P型硅料。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中硅片制绒的方法包括激光刻槽制绒法、等离子刻蚀制绒法或酸洗制绒法中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中制氮化硅膜的方法包括用等离子增强型气相沉积的方法在硅片背电场的对立面上镀氮化硅薄膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中的印刷正电极为在具有背电场硅片的背电场对立面丝网印刷正电极。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中的硅片烧结温度800℃～900℃，烧结时间为0～60s。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，如步骤(1)中所述硅材料为P型硅，所述制备方法还包括扩散工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
