[发明专利]圆形硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种圆形硅薄膜太阳能电池，由串联连接的电池单元构成，以透明基板(1)为衬底，包括依序层叠的前电极层(2)、硅薄膜层(3)、背电极层(4)和背漆层(5)，其特征在于由激光刻划形成的电池单元的工作面，外包罗线呈圆弧形，电池内部的工作面是由有效面积相等的n个扇形或不规则形状电池单元串联构成，n≥2，电池的正负电极之间至少有两条隔离线和一条连接正负电极的激光刻划线或点划线，该隔离线和激光刻划线或点划线的宽度均为0.03～0.04mm。

2.根据权利要求1所述的圆形硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的隔离线包括前电极层(2)的隔离线(7)，其宽度为0.03～0.04mm，所说的前电极层(2)的隔离线(7)呈放射形，激光标刻形成的前电极图形是面积相等且相互绝缘的扇形面，相邻的前电极图形的绝缘电阻大于20MΩ。

3.根据权利要求1所述的圆形硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的连接正负电极的激光刻划线是硅薄膜层(3)的刻划线(8)，宽度为0.03～0.04mm，该刻划线(8)呈放射形，所说的硅薄膜层(3)的激光刻划线(8)和前电极层(2)的隔离线边沿之间的距离为0～0.10mm。

4.根据权利要求1所述的圆形硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的隔离线包括背电极层(4)的隔离线(9)，宽度为0.03～0.04mm，该隔离线(9)呈放射形，所说的背电极层(4)的隔离线(9)和硅薄膜层(3)的刻划线边沿之间的距离为0～0.10mm。

5.根据权利要求1所述的圆形硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的前电极层(2)是透明的ITO或SnO₂导电膜，所说的硅薄膜层(3)是非晶硅薄膜层，所说的背电极层(4)是铝、镍或铝镍合金膜。

6.一种圆形硅薄膜太阳能电池的制造方法，在透明基板(1)上顺序层叠前电极层(2)、硅薄膜层(3)、背电极层(4)和背漆层(5)，各电池单元串联连接，其特征在于由激光刻划形成电池单元的工作面，其外包罗线呈圆弧形，电池内部的工作面是由有效面积相等的n个扇形或不规则形状电池单元串联构成，n≥2，采用激光标刻机在电池的正负电极之间刻蚀出至少两条隔离线和一条连接正负电极的激光刻划线或点划线，该隔离线和激光刻划线或点划线的宽度均为0.03～0.04mm。

7.根据权利要求6所述的圆形硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的隔离线包括前电极层(2)的隔离线(7)，是对透明基板(1)上的透明ITO或SnO₂导电膜前电极层(2)进行刻划形成宽度为0.03～0.04mm的隔离线(7)，该隔离线(7)将前电极层(2)刻蚀成面积相等，且相互绝缘的独立小块，相邻的前电极图形的绝缘电阻大于20MΩ，激光功率为10～29瓦，激光声光频率为40～70KHz。

8.根据权利要求6所述的圆形硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的连接正负电极的激光刻划线，是对前电极层(2)上的非晶硅薄膜层(3)进行刻划形成宽度为0.03～0.04mm的刻划线(8)，该刻划线(8)和前电极层隔离线(7)的边沿之间的距离为0～0.10mm，激光功率为2～5瓦，声光频率为40～70KHz。

9.根据权利要求6所述的圆形硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所说的隔离线包括背电极层(4)的隔离线(9)，是用激光标刻机对在硅薄膜层(3)表面上的金属背电极层(4)进行刻划形成宽度为0.03～0.04mm的隔离线(9)，该隔离线(9)和硅薄膜层(3)的刻划线(8)的边沿线之间的距离为0～0.10mm，激光功率为3～6瓦，激光声光频率为40～70KHz。