[发明专利]一种改善电流扩展效率的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种改善发光二极管电流扩展效率的方法，所述的发光二极管包括层状结构外延片，该外延片包括衬底、N型电流扩展层、有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、P电极及N电极，其特征在于：所述的P型电流扩展层内设置有电流阻挡层。

2.根据权利要求1所述的改善电流扩展效率的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层设置于P型电流扩展层的下半部分。

3.根据权利要求1或2所述的改善电流扩展效率的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层是在P电极的正下方。

4.根据权利要求1所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的电流阻挡层包括下列方法形成：

(1)将生长好的外延片在P型电流扩展层上沉积一层SiO2层；

(2)通过蚀刻出窗口区，露出P型电流扩展层；

(3)通过离子植入方式在P型电流扩展层植入与P型电流扩展层掺杂电性相反的N型掺杂离子而形成电流阻挡层。

5.根据权利要求4所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的N型掺杂离子包括硅离子。

6.根据权利要求5所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的电流扩展层内形成有一电流阻挡区，所述电流阻挡层植入到该阻挡区内。

7.根据权利要求6所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的电流阻挡区内的N型掺质离子浓度为5×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求7所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的电流阻挡区内的N型掺质离子浓度为5×10¹⁸cm^-3。

9.根据权利要求1所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的P电极下方还包括一N型电流阻挡区，所述的电流阻挡层包括下列方法形成：

(1)把衬底放入MOCVD反应腔进行外延生长，依次生长N型电流扩展层、有源发光区和N型电流阻挡区，取出外延片，通过光刻或蚀刻方法将来P电极正下方位置的N型电流阻挡区留下，蚀刻掉N型电流阻挡区的其余部分；

(2)将蚀刻后的外延片清洗干净后，再把外延片放入MOCVD反应腔进行二次外延，继续生长P型电流扩展层，这样就在P电极的正下方形成了N型电流阻挡层。

10.根据权利要求9所述的改善电流扩展效率发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的电流阻挡层贴近有源发光区。