[发明专利]一种利用补丁修复法作为太阳电池修复的方法有效
申请号: | 200810219092.7 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101404308A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 沈辉;张陆成;杨灼坚;王学孟 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 510275广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 补丁 修复 作为 太阳电池 方法 | ||
1.一种利用补丁修复法作为太阳电池修复的方法,其特征在于在待修复的 太阳电池中,首先沿着要去除影响太阳电池光电性能的缺陷区域的边缘将太阳电 池片刻透然后移除,再用与移除后留下的空隙的尺寸相匹配的太阳电池作为补丁 来嵌入留下的空隙,最后将太阳电池补丁与待修复的太阳电池的电极作电学互联 接。
2.根据权利要求1所述的利用补丁修复法作为太阳电池修复的方法,其特 征在于采用激光方法沿着要去除影响太阳电池光电性能的缺陷区域的边缘将太 阳电池片刻透移除。
3.根据权利要求1所述的利用补丁修复法作为太阳电池修复的方法,其特 征在于太阳电池补丁与待修复太阳电池的电极之间采用串连或并联的方式联接。
4.根据权利要求1所述的利用补丁修复法作为太阳电池修复的方法,其特 征在于将太阳电池的缺陷区域移除后,在留下的空隙位置放置并连接其它电学元 器件或装置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的利用补丁修复法作为太阳电池修复的方 法,其特征在于该修复方法适用于晶体材料、非晶材料以及薄膜材料太阳电池的 修复。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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