[发明专利]复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法无效
申请号: | 200810219443.4 | 申请日: | 2008-11-26 |
公开(公告)号: | CN101407867A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 张新平;李大圣;熊志鹏 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C1/08;C22C19/03 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李卫东 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合型 高强 记忆 合金 阻尼 材料 制备 方法 | ||
1.复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)按照镍、钛原子比为50~51%:49~50%,将纯镍粉和纯钛粉混合均匀;
(2)按照造孔剂占生坯重量百分数10~30%的比例,将其与步骤(1)所得的混合粉充分混合;
(3)将步骤(2)所得粉末在室温下压制成生坯;将压制好的生坯放入惰性气体保护下的加热炉中预热0.5~1.5小时,控制温度在200~300℃,使造孔剂分解而去除;
(4)按梯级加热方式升温,将坯料以10~20℃/min的速率加热至第一级梯度温度700~800℃,保温10~20分钟;然后以10~20℃/min的速率加热至第二级梯度温度950~1050℃,保温1~3小时后冷却至室温,制得孔隙均匀分布的多孔镍钛形状记忆合金;
(5)用纯镁带将金属镁或镁合金与步骤(4)所得的多孔镍钛形状记忆合金整体紧密包覆后置于烧结炉中组成立式无压熔渗体系,熔渗后金属镁或镁合金占复合材料体积的20~40%。
(6)将熔渗体系以10~30℃/min加热到680~750℃,在惰性气体保护下保温熔渗1~3小时,使金属镁或镁合金熔化后渗入多孔镍钛记忆合金孔隙中,制得复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料。
2.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所用纯钛粉平均粒径均为48μm,纯镍粉平均粒径均为57μm。
3.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述惰性气体为氩气,其纯度高于99.99%。
4.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述加热炉为电加热管式烧结炉。
5.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述造孔剂为经过筛分后形貌规则的碳酸氢铵或尿素,粒径为100~200、200~300、300~450、450~600或600~900μm中的一种。
6.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述金属镁的纯度大于99.9%,所用镁合金为AZ91D。
7.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述金属镁或镁合金与步骤(4)所得的多孔镍钛形状记忆合金在整体紧密包覆前还包括对其进行清洗,所述清洗是先用浓度5~10%的NH4Cl水溶液清除金属表面氧化层,然后分别在丙酮和纯水中进行超声波清洗。
8.根据权利要求1所述复合型轻质高强镍钛记忆合金基高阻尼材料制备方法,其特征在于所述金属镁或镁合金位于镍钛记忆合金上部,形成立式熔渗结构。
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