[发明专利]一种形成焊盘的两步刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810222112.6 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673692A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;康芸;聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌;王 琦 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 刻蚀 方法 | ||
1.一种形成铝盘的两步刻蚀方法，其特征在于，该方法包括：
在形成最后一层铝金属层的圆片上依次生长停止层和钝化层，所述停止层 为不同于所述钝化层的绝缘材料；
将生长了停止层和钝化层的圆片光刻出铝盘的图形；
根据所述铝盘图形刻蚀所述钝化层，去除所述光刻用的光刻胶；
刻蚀所述停止层以形成铝盘。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长停止层为利用高密度 等离子体化学气相沉积HDPCVD方法、等离子增强化学气相沉积PECVD方法 来生长。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述停止层为含硅的绝缘材料， 包括氮化硅、氮氧化硅或碳化硅，或所述停止层为氮化钛或氮化钽。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述停止层的厚度为100埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀钝化层和刻蚀停止层 为利用高密度等离子体HDP刻蚀、感应耦合等离子体ICP刻蚀或反应离子刻蚀 RIE来刻蚀钝化层和停止层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层时，具有横向 刻蚀速率和纵向刻蚀速率。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述停止层为氮化硅或氮氧化 硅，利用ICP来刻蚀所述停止层的工艺条件包括：射频功率为1500W，真空度 为100mTorr，甲烷的流量为120sccm，三氟甲烷的流量为40sccm，氩气的流量 为200sccm。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述停止层为碳化硅，利用ICP 来刻蚀所述停止层的工艺条件包括：射频功率为1500W，真空度为100mTorr， 甲烷的流量为160sccm，三氟甲烷的流量为50sccm，氩气的流量为200sccm， 氧气的流量为5sccm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所生长的停止层的厚度小于所 生长的钝化层的厚度，所述刻蚀停止层是利用所述钝化层作为掩膜来刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
