[发明专利]一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法

权利要求书

1.一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底依次进行第一稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、第一净化处理和起片处理后，得到晶圆衬底上的薄膜，其特征在于，该方法还包括：

在沉积处理和氢去除处理之间进行第二净化处理；

所述第一稳定化处理为向放置晶圆的反应炉中通入前驱气体；

所述第一净化处理及第二净化处理都为采用抽气的方式将放置晶圆的反应炉中的所有气体抽走，去除该晶圆衬底上的薄膜表面的游离态的氢。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行第二净化处理之后，所述进行氢去除处理之前，该方法还包括：

进行第二稳定化处理；

所述第二稳定化处理为向放置晶圆的反应炉中通入前驱气体。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积处理、所述第二净化处理、所述第二稳定化处理及所述氢去除处理，根据所述得到晶圆衬底上的薄膜厚度，重复执行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆衬底为硅、或铜、或二氧化硅SiO₂、或氟掺杂SiO₂、或碳掺杂SiO₂、或以上材料的混合物。