[发明专利]通孔刻蚀方法无效
申请号: | 200810222118.3 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101673681A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 韩秋华;杜珊珊;韩宝东 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 琦;王诚华 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1.一种通孔刻蚀方法,形成通孔刻蚀结构,其特征在于,利用包含有小分子量的稀释气体的刻蚀气体对通孔结构进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述通孔刻蚀结构包括顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、图案化的光致抗蚀剂层。
3.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀的步骤包括刻蚀介质层;移除图案化的光致抗蚀剂层;进行刻蚀终止层的刻蚀。
4.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述通孔刻蚀结构包括顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层。
5.根据权利要求4所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,刻蚀的步骤包括顺序刻蚀辅助刻蚀终止层和介质层;移除图案化的光致抗蚀剂层;进行刻蚀终止层的刻蚀。
6.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述通孔刻蚀结构中包括抗发射涂层;首先刻蚀抗发射涂层。
7.根据权利要求1、2、4或6所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述稀释气体是氮气,或氦气。
8.根据权利要求1、2、4或6所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀气体包括二氟甲烷,氧气,氮气;所述稀释气体为氮气。
9.根据权利要求8所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述二氟甲烷的流量为40标准立方厘米/分钟,所述氧气流量为20标准立方厘米/分钟,所述氮气流量为40标准立方厘米/分钟;压力为50Mt。
10.根据权利要求1、2、4或6所述的通孔刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀气体包括:保护气体、主刻蚀气体、催化气体及稀释气体;
所述保护气体包括二氟甲烷或三氟甲烷中的一种及其组合;所述主刻蚀气体包括八氟化三碳、八氟化四碳、六氟化四碳或六氟化二碳中的一种及其组合;所述催化气体为氧气。所述稀释气体是氮气;
所述保护气体的流量范围为20~60标准立方厘米/分钟;所述主刻蚀气体的流量范围为30~70标准立方厘米/分钟;所述催化气体的流量范围为20~60标准立方厘米/分钟;所述稀释气体的流量范围为20~60标准立方厘米/分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造