[发明专利]一种在氮化硅沉积工艺中去除氯化铵结晶的方法有效
| 申请号： | 200810222175.1 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673680A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 高剑鸣;赵星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 琦;王诚华 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 沉积 工艺 去除 氯化铵 结晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在氮化硅沉积工艺中去除氯化铵结晶的方法，其特征在于，该方法 包括：
从装载区将晶圆装片送入高温炉管进行氮化硅沉积；在结束氮化硅沉积从 高温炉管取片后，利用通入装载区的空气对晶圆进行降温处理；在降温处理过 程中，通入装载区的空气对氮化硅沉积中所产生的氯化铵结晶进行风化，直到 将晶圆降至70摄氏度以下且风化完所有的氯化铵结晶为止。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通入装载区的空气是将 所述晶圆装片送入高温炉管和将所述晶圆温度降至70摄氏度之间任一时间点 开始通入的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述空气为干净干燥的空气 CDA。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述空气中氧气 的含量为10％～40％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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