[发明专利]一种克隆生长单壁碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200810222216.7 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101671013A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张锦;姚亚刚;冯超群;刘忠范 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关 畅;任凤华 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 克隆 生长 单壁碳 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长单壁碳纳米管的方法，将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar气的气体流量为500sccm，H2的气体流量为300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到从所述至少有一端开口的单壁碳纳米管的端部生长出的与所述至少有一端开口的单壁碳纳米管的直径和螺旋度相同的单壁碳纳米管；所述碳源为50～300sccmCH4和1～20sccm C2H4混合碳源。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的至少有一端开口的单壁碳纳米管的长度为1-10μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述的至少有一端开口的单壁碳纳米管位于衬底上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的至少有一端开口的单壁碳纳米管是通过电子束刻蚀技术、氧等离子体刻蚀技术和剥离技术将超长单壁碳纳米管切开而得到的。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述超长单壁碳纳米管是采用化学气相沉积法制备的，所述化学气相沉积法中，所述超长单壁碳纳米管的生长方向和碳源的气流方向相同。
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