[发明专利]光隔离器、光分插复用器和光合束器有效
申请号: | 200810222267.X | 申请日: | 2008-09-12 |
公开(公告)号: | CN101672987A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 操时宜;江晓清;刘仕景;周海峰;杨建义 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;浙江大学 |
主分类号: | G02F1/095 | 分类号: | G02F1/095;G02B6/02;G02B6/293;G02B6/28 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 518129广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离器 光分插复用器 光合 | ||
1.一种光隔离器,其特征在于包括依次串接的输入波导、含磁光材料的 波导光栅和输出波导,所述含磁光材料的波导光栅用于通过磁光效应产生非 互易相移,以使正反传输中能通过的中心波长发生偏移且正反传输的带宽相 同。
2.根据权利要求1所述的光隔离器,其特征在于所述含磁光材料的波导 光栅为直接由磁光材料构成的磁光波导光栅或普通介质波导光栅在需要磁光 效应部分的波导表面溅射或键合磁光材料构成的磁光波导光栅。
3.根据权利要求1所述的光隔离器,其特征在于所述含磁光材料的波导 光栅为在磨抛掉一侧包层的光纤光栅上溅射或键合磁光材料构成的磁光波导 光栅。
4.根据权利要求2所述的光隔离器,其特征在于所述波导光栅为脊型磁 光波导光栅,所述磁光材料为含铈的钇铁石榴石,厚度为300-600nm,衬底为 二氧化硅。
5.根据权利要求3所述的光隔离器,其特征在于所述磁光材料的厚度为 300-600nm,所述磁光材料的下表面与距离光纤光栅芯层最近的切面的距离为 0-500nm。
6.一种包含权利要求1-5任一光隔离器的光分插复用器,其特征在于还 包括主输入端、第一环路器、第二环路器、主输出端、下载端和上传端,其 中,主输入端、第一环路器、光隔离器、第二环路器和主输出端依次串接, 所述下载端与第一环路器相连,所述上传端与第二环路器相连。
7.根据权利要求6所述的光分插复用器,其特征在于所述下载端下载的 波长和上传端上传的波长不同。
8.一种包含权利要求1-5任一光隔离器的光合束器,其特征在于还包括 第一输入端、第二输入端、含磁光材料的光环路器和输出端,其中第一输入 端、光隔离器、含磁光材料的光环路器和输出端串行连接,第二输入端与含 磁光材料的光环路器相连。
9.根据权利要求8所述的光合束器,其特征在于所述光环路器为磁光多 模干涉波导光环路器,所述光环路器中的磁光材料包括含铈的钇铁石榴石。
10.根据权利要求9所述的光合束器,其特征在于所述光环路器中的 磁光材料和光隔离器中的磁光材料相同或不同。
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