[发明专利]T型降压变换器的拓扑结构

权利要求书

1.一种T型降压变换器的拓扑结构，其特征在于：通过开关S_k2、开关S_(k-1)2、……开 关S₃₂、开关S₂₂以及开关S_D11、开关S_D21、……开关S_D(k-1)1、开关S_Dk1共2k-1个开关器件依 次串联构成T型变换器的横轴；通过电容C₁、电容C₂……电容C_k串联构成T型变换器的纵 轴，k为大于1的正整数；开关S_Dk1通过电感L与负载R_L的一端相连，负载R_L的另一端与开 关S_k2的一端相连；输入电源的高电位端与电容C_k的高电位端相连，输入电源的低电位端与 电容C₁的低电位端相连；其中电容C_i与电容C_(i+1)，i＝1，2......k-1，之间的节点和开关S_Di1与 开关S_D(i+1)1的节点之间有单向从纵轴流向横轴可控开关支路，在电容C_i与电容C_(i+1)的节点和 开关S_(i+1)2与开关S_(i+2)2之间的节点之间有单向支路；通过扩展T型结构的横、纵轴以及单向 整流支路、单向可控开关支路，拓展变换器。

2.根据权利要求1所述的T型降压变换器的拓扑结构，其特征在于：开关S₂₂……开关S_k2选择可控电力电子开关IGBT或MOSFET。

3.根据权利要求1所述的T型降压变换器的拓扑结构，其特征在于：上述结构可以进行 变换，在纵轴上增加开关S₁₂，与电容C₁、电容C₂……电容C_k共k+1个器件串联构成T型变 换器的纵轴；通过开关S_D11开关S_D21、……开关S_Dk1共k个开关器件串联构成T型变换器 的横轴；开关S_Dk1通过电感L与负载R_L的一端相连，负载的另一端与开关S₁₂、开关S₂₂的交 点相连，开关S₂₂……开关S_k2构成横轴的延长线；其中电容C_i与C_(i+1)之间的节点和开关S_Di1与 开关S_D(i+1)1的节点之间有单向从纵轴流向横轴可控开关支路，在电容C_i与电容C_(i+1)的节点和 开关S_(i+1)2与开关S_(i+2)2之间的节点之间有单向支路。