[发明专利]T型升压变换器的拓扑结构有效

专利信息
申请号: 200810222284.3 申请日: 2008-09-16
公开(公告)号: CN101453162A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 郑琼林;贺明智;郝瑞祥;杨中平;孙湖;游小杰;林飞;张立伟;黄先进;王琛琛 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100044北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 升压 变换器 拓扑 结构
【权利要求书】:

1.一种T型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:通过开关Sk1、开关S(k-1)1……开关S21、 开关S11、开关SD12、开关SD22……开关SD(k-1)2,共2k-1个开关器件顺序串联构成T型变换器 的横轴;通过电容C1、电容C2……电容Ck共k个电容顺序串联构成T型变换器的纵轴;开 关Sk1的一端与开关S(k-1)1的一端相连,开关Sk1的另一端通过电感L与直流输入电源的高电位 端相连,直流输入电源的低电位端与开关SD(k-1)2相连;开关Sk1与电感L相连的一端和电容Ck的正极之间有单向从横轴流向纵轴的整流支路,该整流支路由开关SDk1组成;开关SD(k-1)2与 直流输入电源低电位端相连的一端和电容Ck与电容C(k-1)的节点之间有从纵轴流向横轴的单 向可控开关支路,该单向可控开关支路由开关Sk2组成;其中开关Si1与开关S(i+1)1之间的节点 和电容Ci与电容C(i+1)的节点之间有单向从横轴流向纵轴的整流支路,该整流支路由开关SDi1组成,i=1,2...k-1;在电容Ci与电容Ci+1的节点和开关SDi2与开关SD(i+1)2之间的节点之间有从 纵轴流向横轴的单向可控开关支路,该单向可控开关支路由开关S(i+1)2组成,i=1,2...k-2;电 容Ck的正极和电容C1的负极之间接负载电阻RL;通过扩展T型结构的横、纵轴以及单向整 流支路、单向可控开关支路,能拓展变换器,k为大于1的正整数。

2.根据权利要求1所述的T型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:开关Sk1、开关SDk1、 开关SD(k-1)2、电容Ck、开关Sk2构成T型变换器的扩展单元组,当增加该扩展单元组,并按 上述的连接方式扩展电路时,增加变换器的级数。

3.根据权利要求1所述的T型升压变换器的拓扑结构,其特征在于:开关S11、开关 S21……开关Sk1、开关S22……开关Sk2选择可控电力电子开关IGBT或MOSFET。

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