[发明专利]一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器无效
| 申请号： | 200810222312.1 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101363903A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 潘礼庆;向睿;阴津华;徐美;黄筱玲;田跃;侯志坚;邱红梅;赵雪丹;秦良强;王凤平 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 铁磁性 纳米 磁电 效应 磁场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，其特征在于：磁场传感器由在基片(5)上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环(1)以及一组引线一(4)和引线二(4’)组成；在环的两端连接的这组引线一(4)和引线二(4’)同时作为恒流源接线(2)和电压测量接线(3)；铁磁性纳米环(1)外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。
2.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述铁磁性纳米环(1)材料为铁磁性金属铁、钴、镍中的一种；或是以铁、钴、镍为基的铁磁性合金材料中的一种；或是铁磁性氧化物中的一种。
3.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述引线一(4)和引线二(4’)材料为非磁性金属金、银、铜、铝，或非磁性金属合金材料。
4.如权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于：所述基片(5)材料为非磁性的绝缘体材料。
5.权利要求1所述的磁场传感器的用途，其特征在于：检测的外磁场范围为0.1毫特斯拉～1特斯拉的外磁场。
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