[发明专利]采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法

权利要求书

1.一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，该方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件，该方法具体包括：

1)、在压电衬底上涂敷电子抗蚀剂；

2)、对电子抗蚀剂进行前烘；

3)、在电子抗蚀剂上生长导电层；

4)、对电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；

5)、去除导电层；

6)、显影，去除曝光区域的电子抗蚀剂；

7)、定影；

8)、生长叉指电极金属；

9)、剥离，将电极图形从电子抗蚀剂上转移到压电衬底上。

2.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤1)中所述压电衬底为平整、洁净的压电单晶衬底或压电薄膜衬底。

3.根据权利要求2所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，所述压电单晶衬底为石英、LiNbO₃、LiTaO₃、Li₂B₄O₇或La₃Ga₅SiO₁₄，所述压电薄膜衬底为ZnO、AlN或GaN。

4.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤1)中所述的电子抗蚀剂为ZEP520正性抗蚀剂、PMMA正性抗蚀剂、SAL601负性抗蚀剂、HSQ负性抗蚀剂或Calixarene负性抗蚀剂。

5.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤3)中所述导电层采用对电子束曝光背散射小的金属材料Al、Ti或Cr，厚度为10nm至20nm。

6.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤3)中所述生长导电层采用高温蒸发或溅射方式。

7.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤4)中所述电子束直写曝光采用JEOL JBX-5000LS电子束光刻系统，加速电压为50KeV，电子束流小于500pA。

8.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤8)中所述叉指电极金属采用金属材料Al、Cu、Ti、Cr、Au、Ag或Pt。

9.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤8)中所述叉指电极金属生长采用高温蒸发、电子束蒸发、射频溅射或磁控溅射。

10.根据权利要求1所述的采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，步骤9)中所述剥离采用去电子抗蚀剂液，对于ZEP520A正性抗蚀剂，采用丁酮MEK或甲基丙烯酸甲脂MMA，对于PMMA正性抗蚀剂，采用四氢呋喃或二甲基甲酰胺DMF。