[发明专利]减小温度梯度的激光晶体无效

专利信息
申请号: 200810222337.1 申请日: 2008-09-17
公开(公告)号: CN101677175A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 李晋闽;林学春;熊波;侯玮;郭林;赵鹏飞;韩泽华;李瑞贤 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S3/16 分类号: H01S3/16;H01S3/042
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 减小 温度梯度 激光 晶体
【权利要求书】:

1、一种减小温度梯的激光晶体,包括:

一激光晶体;

一薄膜层,该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。

2、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中激光晶体是棒状激光晶体、薄片状激光晶体或板条状激光晶体。

3、如权利要求1或2所述的减小温度梯度的激光晶体,其中该激光晶体为棒状激光晶体时,该薄膜层制作在棒状激光晶体的外圆表面上;该激光晶体为薄片状激光晶体时,该薄膜层制作在薄片状激光晶体的一平面上;该激光晶体为板条状激光晶体时,该薄膜层制作在板条状的激光晶体两相对的大面积的表面上。

4、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中该薄膜层的材料是二氧化硅。

5、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中制作在激光晶体表面的薄膜层的厚度为100~800μm。

6、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中制作在激光晶体表面的薄膜层使用溅射或蒸镀的方法制备。

7、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中激光晶体的材料是Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Nd:YLF或Nd:GdVO4

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