[发明专利]减小温度梯度的激光晶体无效
申请号: | 200810222337.1 | 申请日: | 2008-09-17 |
公开(公告)号: | CN101677175A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 李晋闽;林学春;熊波;侯玮;郭林;赵鹏飞;韩泽华;李瑞贤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16;H01S3/042 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减小 温度梯度 激光 晶体 | ||
1、一种减小温度梯的激光晶体,包括:
一激光晶体;
一薄膜层,该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。
2、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中激光晶体是棒状激光晶体、薄片状激光晶体或板条状激光晶体。
3、如权利要求1或2所述的减小温度梯度的激光晶体,其中该激光晶体为棒状激光晶体时,该薄膜层制作在棒状激光晶体的外圆表面上;该激光晶体为薄片状激光晶体时,该薄膜层制作在薄片状激光晶体的一平面上;该激光晶体为板条状激光晶体时,该薄膜层制作在板条状的激光晶体两相对的大面积的表面上。
4、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中该薄膜层的材料是二氧化硅。
5、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中制作在激光晶体表面的薄膜层的厚度为100~800μm。
6、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中制作在激光晶体表面的薄膜层使用溅射或蒸镀的方法制备。
7、如权利要求1所述的减小温度梯度的激光晶体,其中激光晶体的材料是Nd:YAG、Nd:YVO4、Yb:YAG、Nd:YLF或Nd:GdVO4。
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