[发明专利]高深宽比氧化硅刻蚀工艺无效
| 申请号： | 200810222444.4 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101372311A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 罗葵;张大成;王兆江;李婷;田大宇;王玮;王颖;李静 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王朋飞 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高深 氧化 刻蚀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺，采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，其特征在于，采用以下工艺参数窗口:
离子源功率:1000-1800W；
承片台功率:300-400W；
反应室压力:4-12mT；
C4F8流量:10-20sccm/min；
H2流量:4-8sccm/min；
He流量:150-200sccm/min。
2.如权利要求1所述的高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其特征在于，所述采用的工艺参数具体为:
离子源功率:1000W；
承片台功率:300W；
反应室压力:8mT；
C4F8流量:10sccm/min；
H2流量:8sccm/min；
He流量:174sccm/min。
3.如权利要求1所述的高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其特征在于，所述采用的工艺参数具体为:
离子源功率:1800W；
承片台功率:300W；
反应室压力:8mT；
C4F8流量:10sccm/min；
H2流量:8sccm/min；
He流量:174sccm/min。
4.如权利要求1～3任一项所述的高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其特征在于，该工艺采用的刻蚀掩膜为光刻胶。
5.如权利要求1～4任一项所述的高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其特征在于，所述电感耦合等离子刻蚀系统为英国STS公司的STS AOE34443型刻蚀机。
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