[发明专利]一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法

权利要求书

1.一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法，其特征是采用原子百分比，用(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆做缓冲层，在Ni₈₁Fe₁₉表面沉积Al₂O₃纳米氧化层；实施方案是，缓冲层(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆是由Ni₈₁Fe₁₉靶和Cr靶共溅射方法制备，溅射靶材为Ni₈₁Fe₁₉靶，Cr靶，Ta靶，Al₂O₃陶瓷靶，其中Al₂O₃纳米氧化层采用直接溅射氧化物靶材的方法；Ni₈₁Fe₁₉靶，Cr靶，Ta靶采用磁控溅射方法，在溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa；化学分析确定最终沉积薄膜成分为81Ni:19Fe，并且控制薄膜杂质含量小于0.1％。

2.如权利要求1所述的一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法，其特征是薄膜结构为(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆(1.0～13.0nm)/Ni₈₁Fe₁₉(10.0～200.0nm)/Al₂O₃(1.0～3.0nm)/Ta(5.0～9.0nm)，具体制备过程是在磁控溅射仪中进行，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积缓冲层(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆，然后沉积Ni₈₁Fe₁₉、Al₂O₃纳米氧化层和保护层Ta；溅射室本底真空度为1×10^-5～6×10^-5Pa，溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa；溅射时99.99％纯度的高纯氩气气压为0.4～2.7Pa，溅射沉积速率为0.03～0.33nm/分钟；基片用循环去离子水冷却，平行于基片平面方向加有150～300Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向，并且基片始终以8～30转/分钟的速率旋转，薄膜厚度由溅射时间控制。