[发明专利]具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1－x/Co/Si多层结构颗粒膜材料无效
| 申请号： | 200810223238.5 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101359716A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;谈国太;张歆;吴利华;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/32;H01F41/14;H01F41/20;G01R33/09;C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 室温 低场巨 磁电 效应 co sub si 多层 结构 颗粒 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1-x/Co/Si多层结构颗粒膜材料，其特征在于：首先，在晶格取向100的Si基片上沉积一层厚度为2-20nm的Co薄膜，然后，在Co薄膜上面沉积一层颗粒膜厚度为10-60nm的CoxC1-x薄膜；其中CoxC1-x薄膜是先用纯度＞99.99％的碳粉和纯度＞99.99％的钴粉按Co的含量为2at％-20at％的比例混合，经过球磨，再热压成的C1-xCox靶，用激光脉冲沉积方法在真空镀膜室内、真空为10-4Pa量级、基片温度为T＝300K恒定值的条件下沉积而获得。
2.根据权利要求1所述具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1-x/Co/Si多层结构颗粒膜材料，其特征在于：所述Co薄膜是用纯度＞99.99％的钴粉热压成的Co靶，用激光脉冲沉积方法在真空镀膜室内、真空为10-4Pa量级、基片温度为T＝300K恒定值的条件下沉积而获得。
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