[发明专利]非挥发存储器的制备方法

权利要求书

1、一种非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：

A、在半导体衬底上形成一层栅氧化层；

B、采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火形成纳米晶浮栅层；

C、在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及

D、进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序；

步骤B中所述硅粉末和二氧化铪粉末的重量比为1∶1.5-2.5；步骤B中所述硅粉末和二氧化铪粉末的颗粒度为250-350目；步骤B中所述高温热退火条件是温度800-1200℃。

2、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤A中所述半导体衬底为：P型硅片或者绝缘体上硅。

3、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤A中所述栅氧化层的材质为二氧化硅，其厚度为5nm至20nm。

4、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤A中采用干法热氧化方法形成所述的栅氧化层。

5、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤B中所述的硅粉末和二氧化铪粉末的蒸发平均速度为

6、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤B中所述的高温热退火时间为40-80分钟。

7、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤C包括：

在纳米晶浮栅层上淀积多晶硅层；

然后采用离子注入方法在该多晶硅层掺入杂质磷；

涂覆光刻胶；

曝光；以及

干法刻蚀。

8、根据权利要求7所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于所述的曝光包括：

光学曝光方法，用于制备大尺寸器件；或者

电子束曝光法，用于制备小尺寸器件。

9、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤D包括：

形成源、漏区窗口图形光刻工序，该工序包括针对大尺寸器件的光学曝光方法和针对小尺寸器件的电子束曝光方法，光刻胶包括光学光刻胶和电子束抗蚀剂光刻胶，采用离子注入方法掺入杂质磷，离子注入过程已形成的多晶硅栅起掩蔽作用。

10、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤D包括：

源、漏电极接触孔图形光刻工序，该工序包括针对大尺寸器件的光学曝光方法和针对小尺寸器件的电子束曝光方法，光刻胶包括光学光刻胶和电子束抗蚀剂光刻胶，刻蚀方法为湿法腐蚀。

11、根据权利要求1所述的非挥发存储器的制备方法，其特征在于，步骤D包括：

源、漏电极图形光刻工序，该工序包括针对大尺寸器件的光学曝光方法和针对小尺寸器件的电子束曝光方法，光刻胶包括光学光刻胶和电子束抗蚀剂光刻胶，源、漏电极材料是金属铝，采用电子束蒸发、热蒸发或者溅射的方法得到，剥离采用丙酮、乙醇、去离子水液体超声方法。