[发明专利]测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 200810223446.5 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN101685207A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 黄婕妤;于洪俊;吴昊 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G01R31/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 测试 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示面板性能测试,特别涉及电压与透过率曲线的测试方法及装置。 

背景技术

随着数字时代的来临,液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)的全面普及将成为数字时代发展的必然趋势。 

目前,液晶显示面板是把液晶装在两个列有细槽的基板之间,使两个基板上的细槽相互垂直相交成90度。其中上层基板称为彩膜基板,其内表面沉积透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,简称TCO)层作为透明电极(也叫公共电极);下层基板称为薄膜晶体管型(Thin Film Transistor,简称TFT)基板,其内表面沉积氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO)层作为透明电极。当上层彩膜基板的公共电压(Vcom电压)固定后,通过向下层TFT基板的ITO层施加电压,使上层彩膜基板的TCO层与下层TFT基板的ITO层之间产生电势差,并相应的产生与电压方向相同的电场,在电场的作用下,液晶分子将会在上层的彩膜基板和下层的TFT基板的细槽内按照两个基板之间的电流方向进行排列,传达光线;若向下层TFT基板的ITO层施加与上层彩膜基板的Vcom电压相等的电压后,上层彩膜基板的TCO层与下层TFT基板的ITO层之间产生电势差为0V,则上层的彩膜基板和下层的TFT基板的细槽内的液晶分子排列混乱,无法传达光线。因此,人们利用液晶分子根据测试电压的大小调节光量的特性,对LCD的灰度进行调节。为了解不同测试电压下的光线透过率,常常需要对电压与透过率(Voltage-Transmittance,简称VT)之间的变化关系进行测试,以获得VT曲线。 

现有技术中获取液晶显示面板的电压与透过率关系曲线(Module VT Curve)测试方法,均为在数据线上施加测试电压,通过光线透过率测试设备CA210,测量不同测试电压下的透过率,得出VT曲线,以供进行电路上的伽马调谐(Gamma tuning)。为了保障数据的准确性,在测试过程中应使测试电压从0V-12V正向测试和12V-0V反向测试各一遍,数据取两次测试结果的平均值。 

理想状态下,现有技术的测试方法中,液晶分子的在测试电压的作用下发生偏转,但由于液晶分子在较短时间间隔内无法回复形变的特性,使现有技术的测试方法都具有误差。在理想状态下,当液晶显示面板处于常态下,即液晶分子未发生偏转,并保持静止的状态时,分别向三块相同的液晶显示面板提供测试电压+6V、0V、+12V,具体为:假定上层彩膜基板的Vcom电压设定为+6V,当测试电压值为+6V时,下层TFT基板的ITO层(0V)与上层彩膜基板的TCO层(+6V)之间的电势差为0V,液晶分子保持静止状态不发生偏转;当测试电压值为0V时,下层TFT基板的ITO层(0V)与上层彩膜基板的TCO层(+6V)之间的电势差为+6V,则液晶分子偏转+θ度;当测试电压值为+12V时,下层TFT基板的ITO层(+12V)与上层彩膜基板的TCO层(+6V)之间的电势差为-6V,则液晶分子偏转-θ度。在理想状态下,测试电压值为0V时,液晶分子应该偏转+θ度;测试电压值为+12V时,液晶分子应该偏转-θ度。两对数据都包含在VT曲线的数值范围内,若增加测试的数量,则能够得到理想状态下的VT曲线,但在理想状态下每调整一个测试电压值就需要更换新的液晶显示面板,会造成资源的极大浪费。 

在实现本发明过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题: 

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