[发明专利]用于保护驱动管的电路结构

说明书

技术领域

本发明涉及大功率MOSFET、IGBT驱动电路领域，具体涉及 一种用于保护驱动管(例如IGBT驱动管)的电路结构。

背景技术

维持环节在PDP色彩灰阶显示中起到极为重要的作用，灰阶的 实现方法是通过增加不同的维持脉冲而表现出来的，在现实过程 中，每个子场的维持脉冲是不相同的，通过控制信号对大功率IGBT 的控制实现IGBT的开关，使Vs电压按照控制信号的要求加到屏 上。但在实现过程中，如图1所示，由于布线的不合理造成大电流 的地与控制信号小电流的地相互串扰，使得控制波形畸变，如图3 所示，从而造成SUSH与SUSL开关的误导通，图像变差，开关管 功耗增大，甚至烧毁开关管，这种现象在接地电阻大的情况下更为 显著。

发明内容

本发明提出了一种用于保护驱动管的电路结构，目的在于减少 诸如由于干扰造成的SUSH，SUSL两管的误导通而导致的对驱动 管的损害。

根据本发明的一方面，提出了一种用于保护驱动管的电路结 构，该电路结构包括：缓冲器，用于对驱动信号进行缓冲；第一电 阻器，其一端连接至缓冲器；栅极驱动器，其输入端与第一电阻器 的另一端连接，栅极驱动器用于根据经由第一电阻器的来自缓冲器 的驱动信号对驱动管进行驱动。

其中，该电路结构还包括：限压元件，设置在缓冲器和第一电 阻器之间；以及放电元件，其一端连接在限压元件和第一电阻之间， 另一端接地。其中，缓冲器、放电元件以及栅极驱动器中每一个的 接地端均连接至第一接地点。其中，驱动管的接地端连接至第二接 地点。其中，第一接地点与第二接地点分别连接至第三接地点。其 中，限压元件为二极管，其正极连接至缓冲器的输出端，负极分别 连接至第一电阻器和放电元件。其中，放电元件为第二电阻器。其 中，第一接地点为小电流接地点；第二接地点为大电流接地点。

本发明是采用二极管和电阻相配合，以及清晰的地线划分的方 法，使控制波形可以顺利地到达IGBT的GATE极，而杂波干扰受 到阻碍，从而使IGBT可以按照控制波形的指挥动作，不会受到干 扰的影响。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申 请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并 不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术的电路结构；

图2示出了正常的SUSH和SUSL波形；

图3示出了受到干扰后的SUSH和SUSL波形；

图4示出了根据本发明的一个实施例的电路结构；以及

图5示出了根据本发明的一个实施例的电路结构的接地方法的 示意图。

具体实施方式

本发明采用在维持期间在维持控制信号通路加入二极管及电 阻起到防止干扰的作用，以减少由于干扰造成的SUSH，SUSL两 管的误导通，通过此方法可以减少在干扰的情况下由于误导通造成 功率管发热量过大甚至损坏，起到延长功率管寿命的作用。下面参 考附图，详细说明本发明的具体实施方式。

图1示出了现有技术的电路结构。如图1所示，驱动控制信号 由控制板产生，送到Y板，经过74AC541 102的驱动后由一个串联 电阻R1 104接入HVIC 106的输入端，HVIC将TTL电平的控制信 号放大到15V左右，用来控制功率器件。这种电路结构如果在没 有干扰的情况下是完全可行的，但是，如果有干扰发生，则干扰信 号和有用信号会被一起送到HVIC的输入端，从而导致误控制的发 生。

图2示出了正常的SUSH、SUSL波形。如图2所示，在正常 情况下，SUSH为高电平时SUSL为低电平，在SUSH变高之前ERH 先导通，在SUSL为高电平之前，ERL先导通，将电压存至能量恢 复电容。

图3示出了受到干扰后的SUSH、SUSL波形。如图3所示， 在受到干扰时会出现极其短暂的尖峰脉冲，如果脉冲的强度超过了 HVIC的门限电平，HVIC就会误认为收到的的是高电平信号，使得 在某个时刻两管同时导通。如果时间非常的短暂，会造成IGBT的 过度发热，如果干扰持续的时间比较长或是频繁的出现干扰，则会 毁坏IGBT。