[发明专利]一种含羰基铁粉的屏蔽宽频电磁波聚乙烯复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种含羰基铁粉的屏蔽宽频电磁波聚乙烯复合膜，其包括基体膜和基体膜表面镀层，其中基体膜表面镀层为金属镀层，镀层平均厚度为1～20μm；所述基体膜为含有电磁波屏蔽添加剂的聚乙烯树脂膜；以聚乙烯树脂100重量份数计，含有电磁波屏蔽添加剂为10～100重量份数；

所述电磁波屏蔽添加剂为碳素类纤维与羰基铁粉的混合物，所述碳素类纤维与羰基铁粉的重量比为1∶4～4∶1；

其中碳素类纤维的纤维直径范围为1～30μm，纤维长度范围为1～50mm，选自镀铜碳纤维；所述羰基铁粉的粒径范围为30～50nm。

2.根据权利要求1所述的聚乙烯复合膜，其中所述基体膜中以聚乙烯树脂100重量份数计，含有所述电磁波屏蔽添加剂为15～70重量份数。

3.根据权利要求1所述的聚乙烯复合膜，其中所述碳素类纤维的纤维直径范围为1～20μm，纤维长度范围为1～30mm。

4.根据权利要求1所述的聚乙烯复合膜，其中所述基体膜中以聚乙烯树脂100重量份数计，含有1～5重量份数的硅烷偶联剂。

5.根据权利要求4所述的聚乙烯复合膜，其中所述硅烷偶联剂选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、g-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅和乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种。

6.根据权利要求1～5之任一项所述的聚乙烯复合膜，其中所述基体膜表面镀层为铝镀层，或镍镀层；镀层平均厚度为5～20μm。

7.根据权利要求1～6之任一项所述的一种含羰基铁粉的屏蔽宽频电磁波聚乙烯复合膜的制备方法，包括以下步骤：

①将所述包括聚乙烯树脂和电磁波屏蔽添加剂在内的各组分按所述量充分混合；

②将上述混合料经过熔融共混制得所述聚乙烯基体膜的粒料；

③再将此粒料经吹膜成型得到所述聚乙烯基体膜；

④之后将金属粉镀在上述聚乙烯基体膜上形成所述厚度的金属镀层，从而得到所述屏蔽宽频电磁波的聚乙烯复合膜。

8.根据权利要求7所述的聚乙烯复合膜的制备方法，其中在所述步骤①之前对电磁波屏蔽添加剂进行如下处理：将所述硅烷偶联剂稀释后加入所述电磁波屏蔽添加剂中，并在高速搅拌设备中充分混合，之后干燥得到偶联剂改性处理的电磁波屏蔽添加剂。