[发明专利]MOS器件的制造方法和半导体器件阱区的形成方法无效
| 申请号： | 200810224583.0 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728268A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 制造 方法 半导体器件 形成 | ||
1.一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底，在半导体衬底中具有浅沟槽隔离区，所述缓冲氧化物层位于所述浅沟槽隔离区之外的半导体衬底上，所述氮化物层位于所述缓冲氧化物层上；
去除所述氮化物层；
对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入，形成阱区；
去除所述缓冲氧化物层；
在半导体衬底上形成栅极；
在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。
2.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底的形成过程为：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成缓冲氧化物层；
在所述缓冲氧化物层上形成氮化物层；
对所述半导体衬底刻蚀，形成沟槽；
形成覆盖沟槽侧壁和底面的沟槽衬垫氧化物层；
在沟槽内及氮化物层上形成填充氧化物层；
平坦化填充氧化物层，露出半导体氮化物层，并且使沟槽的顶部和半导体基底位于同一平面。
3.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述缓冲氧化物层的材料包括二氧化硅，所述氮化物层的材料包括氮化硅。
4.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述MOS器件包括NMOS器件和PMOS器件中的任意一种。
5.如权利要求4所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS器件离子注入的离子包括硼离子；PMOS器件离子注入的离子包括磷离子。
6.如权利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在去除所述氮化物层步骤之后，在对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入步骤之前还可以包括在缓冲氧化物层上形成掩蔽氧化物层。
7.一种半导体器件阱区的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底，在半导体衬底中具有浅沟槽隔离区，所述缓冲氧化物层位于所述浅沟槽隔离区之外的半导体衬底上，所述氮化物层位于所述缓冲氧化物层上；
去除所述氮化物层；
对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入，形成阱区。
8.如权利要求7所述的半导体器件阱区的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括NMOS器件和PMOS器件。
9.如权利要求8所述的导体器件阱区的形成方法，其特征在于，所述NMOS器件离子注入的离子包括硼离子；PMOS器件离子注入的离子包括磷离子。
10.如权利要求7所述的半导体器件阱区的形成方法，其特征在于，在去除所述氮化物层步骤之后，对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入之前还可以包括在缓冲氧化物层上形成掩蔽氧化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
