[发明专利]一种快速热处理炉用的晶片冷却台无效
申请号: | 200810224648.1 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101728233A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 唐景庭;袁卫华;龙会跃 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324;H01L21/66;F27D9/00 |
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地址: | 101111 北京市中关村科*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 热处理 晶片 冷却 | ||
技术领域
本发明是用于快速热处理炉中的晶片冷却台,用于快速冷却从炉腔中取出的高温晶片。快速热处理炉于半导体设备领域。
技术背景
快速热处理是在非常短的时间内,将单个晶片加热到400~1300℃范围内的一种方法,由于它是快速加热快速降温,快速热处理炉极大的减小了热预算。快速热处理最常用于晶片的离子注入后退火,用于激活晶片中注入杂质离子,为了防止注入激活的杂质离子损伤注入层外的其它晶格,要求退火后的高温晶片迅速冷却,晶片冷却台起到重要作用,从生产效率方面考虑,晶片在冷却台上快冷后,冷的晶片搬运机械手立即将能其搬运回接收片盒内,避免高温晶片烫坏晶片盒,同时缩短了一块晶片的工艺过程时间。
发明内容
本发明采用圆柱环上三个石英顶针拖放晶片,冷却氮气从支柱上的终端接头进入支柱内的通孔中,再从腔体与内空的圆柱腔体体中网孔板中吹送到晶片背面,气流淋浴冷却晶片,同时冷却台上装有一个光电耦合开关,通过继电器互锁自动检测晶片是否在冷却台上。
该机构由以下零件构成:一底板1,一支柱2,一圆柱腔体3,一个终端接头4,三个紧定螺钉5,一压盖圆环6,三个石英顶针7,一大冷却板8,两个支撑小圆柱9,一小冷却板10,两个内六角M3螺钉11,一个光电耦合开关12,六个内六角M3螺钉13,两个内六角M5螺钉14,如图一所示:
所述的底板1连接通过两个M5内六角螺钉与支柱2相连接,底板上留有孔用于整个冷却台固定到安装板上。
所述的支柱2设计成长方体状,主要支撑安装圆柱腔体3,上端部开通气孔,冷却气体由终端接头4导入支柱2内的气孔,再进入到腔体与大冷却板8间的腔体内,圆柱腔体3与支柱2间用螺钉固定连接。
所述的圆柱腔体3下端通过螺钉固定连接在支柱2上,在圆柱腔体3上开有三个成120度夹角的圆通孔,通孔内放石英顶针7,同时在该三个通孔的中心从圆柱腔体3外侧壁开有三个与之垂直的螺钉孔,紧定螺钉5拧过该孔紧定石英顶针7,同时可以调节三个顶针的高度来调节平面度;圆柱腔体3上六个60度夹角的螺钉孔螺钉孔连接压盖圆环和圆柱腔体3用。
所述的终端接头4采用快插接头,接在支柱2上,导入冷却冷却氮气。
所述的紧定螺钉5紧定石英顶针7,配合调节石英顶针7的高度来调节放置晶片平面度。
所述的压盖圆环6上六个60度夹角的孔与圆柱腔体3上六个60度夹角的螺钉孔对应连接,压盖住大冷却板8。
所述的石英顶针7来顶托晶片,三个顶针高度可以调节,石英与晶片的接触防止金属的接触污染晶片。
所述的大冷却板8设计成多孔的网状板。气流通过多孔分散吹出,均匀冷却晶片。大冷却板嵌装在圆柱腔体3上孔内,上压压盖圆环6。
所述的大冷却板8设计成多孔的网状板。气流通过板上的多孔分散吹出,达到均匀冷却晶片的效果。
所述的支撑小圆柱体9一共两个,顶撑小冷却板10。
所述的小冷却板10。通过螺钉和支撑小圆柱体9安装在圆柱腔体3中心。对吹入腔体内的气流起到第一次分散阻流减小气流压力,防止气流压力过大吹起晶片,气流再通过大冷却板8上的小孔吹出,均匀平稳的气流冷却晶片。
所述的内六角螺钉11起固定连接小冷却板10和圆柱腔体3作用。
所述的光电耦合开关12固定安装在圆柱腔体3上,通过发射红外光来检测冷却台上是否有晶片,光电耦合开关12与电路中的继电器形成回路互锁自动检测控制。
所述的内六角螺钉13起固定连接压盖圆环6和圆柱腔体3。
所述的内六角M5的螺钉14共两个,固定连接底板1和支柱2。
附图说明
图1为晶片冷却台的结构示意图。
图2为晶片冷却台俯视图。
图1中,一底板1,一支柱2,一圆柱腔体3,一个终端接头4,三个紧定螺钉5,一压盖圆环6,三个石英顶针7,一大冷却板8,两个支撑小圆柱9,一小冷却板10,两个内六角M3螺钉11,一个光电耦合开关12,六个内六角M3螺钉13,两个内六角M5螺钉14。
具体实施方式:
下面结合附图对本发明作进一步介绍,但不作为对发明的限定。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造