[发明专利]静电卡盘装置及其温度控制方法有效
| 申请号： | 200810224801.0 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373731A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/46;C23C14/50;C30B25/12;H01J37/32;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 及其 温度 控制 方法 | ||
1.一种静电卡盘装置，其静电卡盘的基体之中具有冷却介质腔 体，其特征在于，进一步包括能够向所述冷却介质腔体提供冷却介质 的第一冷却通道、第二冷却通道，以及选择所述第一冷却通道和所述 第二冷却通道之一与所述冷却介质腔体相连通的通道切换装置；所述 第一冷却通道、所述第二冷却通道中的冷却介质存在温差。
2.如权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第一 冷却通道、所述第二冷却通道中冷却介质的温差范围为20℃至30℃。
3.如权利要求2所述的静电卡盘装置，其特征在于，所述第一 冷却通道中冷却介质的温度范围为0℃至30℃，所述第二冷却通道中 的冷却介质的温度范围为20℃至50℃。
4.如权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，进一步包 括至少一个附加冷却通道，所述第一冷却通道、所述第二冷却通道以 及各所述附加冷却通道中冷却介质的温度均不相同；所述通道切换装 置选择所述第一冷却通道、所述第二冷却通道以及各所述附加冷却通 道中的一者与所述介质腔体相连通。
5.如权利要求1所述的静电卡盘装置，其特征在于，进一步包 括控制器，预定条件成就时所述控制器通过所述通道切换装置选择不 同的冷却通道与所述冷却介质腔体相连通。
6.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括如权利要求1至5 任一项所述的静电卡盘装置。
7.一种静电卡盘的温度控制方法，通过加热器提高所述静电卡 盘的温度，并通过冷却介质腔体中的冷却介质调节所述静电卡盘的温 度，其特征在于，所述冷却介质腔体连通至少两条冷却通道，各冷却通 道中冷却介质的温度均不相同；需要升温时向所述冷却介质腔体中输 入温度较高的冷却介质，需要降温时向所述冷却介质腔体中输入温度 较低的冷却介质。
8.如权利要求7所述的静电卡盘的温度控制方法，其特征在于， 通过通道切换装置选择不同的冷却通道与所述冷却介质腔体相连通， 从而向所述冷却介质腔体输入不同温度的冷却介质。
9.如权利要求8所述的静电卡盘的温度控制方法，其特征在于， 所述冷却通道具有两条，即第一冷却通道和第二冷却通道，两者之中 冷却介质的温差范围为20℃至30℃。
10.如权利要求9所述的静电卡盘的温度控制方法，其特征在于， 所述第一冷却通道中冷却介质的温度范围为0℃至30℃，所述第二冷 却通道中的冷却介质的温度范围为20℃至50℃。
11.如权利要求8所述的静电卡盘的温度控制方法，其特征在于， 所述通道切换装置的切换由控制器在预定条件成就时完成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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