[发明专利]导电结构及焊盘的形成方法有效
| 申请号： | 200810224804.4 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728317A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 形成 方法 | ||
1.一种导电结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供已形成下层导电结构的衬底；
在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层；
在所述层间介质层上定义导电结构开口图形；
以所述导电结构开口图形为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成导电结 构开口，导电结构开口侧壁附着有聚合物；
去除所述导电结构开口侧壁附着的聚合物；
刻蚀所述导电结构开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入 的氧气流量在15sccm至25sccm之间，以使导电结构开口的侧壁形状良 好；在氧气刻蚀所述导电结构开口底部的停止层的同时清除部分所述聚 合物；
在所述导电结构开口内填充金属，形成导电结构。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀过程中 加入的含碳氟气体的流量在30sccm至80sccm之间。
3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀过 程中还加入了惰性气体。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述惰性气体的 流量在150sccm至250sccm之间。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：刻蚀去除所述刻 蚀停止层之后，还进行了原位氢等离子体处理。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述原位氢等离 子体处理时通入氢气的流量在300sccm至800sccm之间。
7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀及原位 氢等离子体处理过程中的腔室压力在5mTorr至20mTorr之间。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述导电结构包 括接触孔、通孔或双镶嵌结构中的任一种。
9.一种焊盘的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供已形成下层导电结构的衬底；
在所述衬底上形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成钝化层；
在所述钝化层上定义焊盘开口图形；
以所述焊盘开口图形为掩膜，刻蚀所述钝化层形成焊盘开口，焊盘 开口侧壁附着有聚合物；
去除所述焊盘开口侧壁附着的聚合物；
刻蚀所述焊盘开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入的氧 气流量在15sccm至25sccm之间，以使导电结构开口的侧壁形状良好； 在氧气刻蚀所述焊盘开口底部的停止层的同时清除部分所述聚合物；
在所述焊盘开口内覆盖铝金属，形成焊盘。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀过程中 加入的含碳氟气体的流量在30sccm至80sccm之间。
11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：刻蚀去除所述刻 蚀停止层之后，还对所述衬底进行了原位氢等离子体处理。
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述原位氢等 离子体处理时通入氢气的流量在300sccm至800sccm之间。
13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述刻蚀及原 位氢等离子体处理过程中的腔室压力在5mTorr至20mTorr之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
